Model of transport nonuniversality in thick-film resistors

Grimaldi, Claudio; Maeder, Thomas; Ryser, Peter; Straessler, Sigfrid

doi:10.1063/1.1590733

Cited by 8 publications

(6 citation statements)

References 23 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…͑11͒ has been formulated for a bond-percolation regular network in which the bonds have probability p of being occupied by a string of n nonoverlapping spheres. 62 In this case, in fact, Eq. ͑11͒ is the exact distribution function for spheres placed in a one-dimensional channel, 63 and the resulting bond conductance distribution is proportional to g −␣ n where ␣ n =1− /2/͑a n − ⌽͒ and a n is the mean interparticle distance for a bond occupied by n spheres.…”

Section: ͑6͒mentioning

confidence: 99%

Tunneling-percolation origin of nonuniversality: Theory and experiments

et al. 2005

View full text Add to dashboard Cite

A vast class of disordered conducting-insulating compounds close to the percolation threshold is characterized by nonuniversal values of transport critical exponent t, in disagreement with the standard theory of percolation which predicts t Ӎ 2.0 for all three-dimensional systems. Various models have been proposed in order to explain the origin of such universality breakdown. Among them, the tunneling-percolation model calls into play tunneling processes between conducting particles which, under some general circumstances, could lead to transport exponents dependent of the mean tunneling distance a. The validity of such theory could be tested by changing the parameter a by means of an applied mechanical strain. We have applied this idea to universal and nonuniversal RuO 2 -glass composites. We show that when t Ͼ 2 the measured piezoresistive response ⌫, i.e., the relative change of resistivity under applied strain, diverges logarithmically at the percolation threshold, while for t Ӎ 2, ⌫ does not show an appreciable dependence upon the RuO 2 volume fraction. These results are consistent with a mean tunneling dependence of the nonuniversal transport exponent as predicted by the tunneling-percolation model. The experimental results are compared with analytical and numerical calculations on a random-resistor network model of tunneling percolation.

show abstract

Section: ͑6͒mentioning

confidence: 99%

Tunneling-percolation origin of nonuniversality: Theory and experiments

et al. 2005

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…, while in reality the value of t might be as high as 7 for various compositions of glass and doping conditions [14]. Additionally, the value of C C is essentially lower than the theoretical estimation in many cases or percolation threshold disappears.…”

Section: Diffusion Of Dopant Atoms Into the Glass And Formation Of Pementioning

confidence: 89%

On the Conduction Mechanism of Silicate Glass Doped by Oxide Compounds of Ruthenium (Thick Film Resistors)

Abdurakhmanov¹

2011

WJCMP

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Mimo iż badania na tym polu rozpoczęto z końcem lat 60. ubiegłego wieku i poświęcono im wiele prac, np. [ [1], [3], [7], [8], [17], [20], [29], [32], [34], [39]], mechanizm ten nadal pozostaje niewyjaśniony.…”

Section: Wstępunclassified

Low-temperature properties of RuO2-based resistors

Mleczko

Ptak

2015

ZN PRz Elektrotechnika

View full text Add to dashboard Cite

Przedmiotem badań były rezystory grubowarstwowe RuO 2-szkło o znanym składzie, wykonane w warunkach laboratoryjnych. Przeprowadzono pomiary rezystancji i szumów nadmiarowych typu 1/f w funkcji temperatury, w zakresie 30 mK-300 K oraz w funkcji pola magnetycznego do 5 T. Rezystory RuO 2-szkło dobrze nadają się do wykorzystania w roli kriogenicznych czujników temperatury ze względu na dużą czułość i małą magnetorezystancję. Porównanie tych parametrów z parametrami czujników komercyjnych pozwala stwierdzić, że są to przyrządu tej samej klasy. Badane rezystory charakteryzuje duży wzrost poziomu szumów nadmiarowych w zakresie temperatur kriogenicznych, przez co ograniczeniu ulega rozdzielczość pomiaru temperatury. Na podstawie pomiarów tych szumów określono rzeczywistą rozdzielczość pomiaru rezystancyjnych czujników temperatury. Dokonano także krytycznej analizy mechanizmów przewodnictwa najczęściej stosowanych do opisu rezystorów wykonanych na bazie RuO 2. Pomiary temperaturowej zależności rezystancji pozwalają odrzucić model przewodnictwa skokowego zmiennozakresowego dla tego typu rezystorów. Z kolei pomiary szumów dają dobrą zgodność z jedną z teorii w ramach tego modelu przewodnictwa. Dla próbek badanych w pracy określono krytyczną koncentrację składnika metalicznego w warstwie rezystywnej, przy której następuje przejście metal-izolator.

show abstract

Model of transport nonuniversality in thick-film resistors

Cited by 8 publications

References 23 publications

Tunneling-percolation origin of nonuniversality: Theory and experiments

Tunneling-percolation origin of nonuniversality: Theory and experiments

On the Conduction Mechanism of Silicate Glass Doped by Oxide Compounds of Ruthenium (Thick Film Resistors)

Low-temperature properties of RuO2-based resistors

Contact Info

Product

Resources

About