Microwave radiation absorption and Shubnikov-de Haas oscillations in semimetal InAs/GaSb/AlSb composite quantum wells

Магнитофононные осцилляции магнитосопротивления в квантовой яме InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром

“…1/ , 10 Oe H дов в магнитосопротивление от двумерных и объемных носителей при бесконтактных измерениях dP/dH были представлены нами в работе [11]. Исследования осцилляций ШдГ от двумерных носителей в КЯ при T = 2.7 K, из анализа которых можно было бы получить прямые данные о положении уровня Ферми и эффективной массе носителей, затруднены в силу сильного перекрытия двух наборов частот осцилляций ШдГ -от 2D и 3D носителей.…”

“…В данной работе исследуются магнитофононные осцилляции, которые наблюдались в образцах КЯ InAs/GaSb с инвертированным зонным спектром, выращенных на полуизолирующей подложке InAs, без нанесения контактов, в широком температурном интервале T = 2.7−270 K. Температурные зависимости магнитосопротивления структур исследованы на установке электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) при разной ориентации внешнего магнитного поля относительно плоскости 2D слоя. В проведенных ранее исследованиях по микроволновому поглощению [11] были показаны возможности разделения осциллирующих вкладов в магнитосопротивление квантованных состояний двумерных и объемных электронов в КЯ InAs/GaSb на полупроводящих подложках, для создания которых была использована технология MOVPE (metalorganic vapor phase epitaxy) [12]. Исследования были выполнены на установке ЭПР, позволяющей в дополнение к классическому изучению спинового упорядочения и взаимодействия парамагнитных центров в объемных образцах [13,14] проводить исследования изменения магнитосопротивления в двумерных структурах [15].…”

Вертикальный транспорт в гетеропереходах II типа с композитными квантовыми ямами InAs/GaSb/AlSb в сильном магнитном поле

“…Отметим, что при исследовании микроволнового по-глощения и осцилляций Шубникова-де-Гааза в ККЯ InAs/GaSb/AlSb, выращенных на подложке n-InAs, бес-контактным методом электронного парамагнитного ре-зонанса в квантующих магнитных полях до 1.4 Tл при ге-лиевых температурах (2.7−20 K) нам также удалось выделить 2D составляющую амплитуд квантовых осцил-ляций для 2D электронов КЯ InAs из общей картины осцилляций микроволнового поглощения [29].…”