“…Описанные в работах [11][12][13] методы измерения па-раметров полупроводниковых структур с использова-нием СВЧ фотонных кристаллов предполагали, что измеряемая структура полностью заполняет поперечное сечение волновода. Поскольку в этом случае измеряе-мая структура вызывает достаточно резкое изменение амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) фотонного кристалла, обеспечивается высокая разрешающая спо-собность и чувствительность к изменению параметров измеряемых структур.…”