Microwave photonic structures and their application for measurements of parameters of thin semiconductor layers

Abstract

The possibility to simultaneously determine the thickness and the electrical conductivity of thin semiconductor layer and the mobility of its free charge carriers has been shown. The semiconductor layer plays a role of the irregularity in the one-dimensional waveguide photonic crystals. The results of the determination of highly doped semiconductor epitaxial layer parameters by the inverse problem solving using reflection and transmission spectra in microwave band are presented.

Характеристики Дефектной Моды Одномерного СВЧ Волноводного Фотонного Кристалла С Металлическим Включением В Элементе, Нарушающем Его Периодичность

“…Описанные в работах [11][12][13] методы измерения па-раметров полупроводниковых структур с использова-нием СВЧ фотонных кристаллов предполагали, что измеряемая структура полностью заполняет поперечное сечение волновода. Поскольку в этом случае измеряе-мая структура вызывает достаточно резкое изменение амплитудно-частотных характеристик (АЧХ) фотонного кристалла, обеспечивается высокая разрешающая спо-собность и чувствительность к изменению параметров измеряемых структур.…”