2014
DOI: 10.1016/j.matlet.2014.06.105
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Microwave dielectric properties of the (1−x)(Mg0.95Zn0.05)TiO3−x(Ca0.8Sm0.4/3)TiO3 temperature stable ceramics

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“…无 机 材 料 学 报 第 30 卷 铁电材料具存储密度高等优点, 在存储器和 逻辑器件等方面有着非常好的应用前景, 特别是铋 层状钙钛矿结构铁电材料(bismuth layer-structured ferroelectrics : BLSFs)因其具有较好的抗疲劳性能, 且与钙钛矿结构无铅压电陶瓷 [1][2] 相比, 兼有居里 温度高和漏电流小 [3] 等特点而成为目前铁电存储 器应用研究的主要材料。但是, 铁电材料中存在的 缺陷, 以及它们畴界间的相互作用, 严重影响了材 料的性能, 对于铋层状结构无铅压电材料来说, 压 电性能还没有得到充分提高, 因此国内外研究工 作者从工艺和掺杂改性的角度对其进行了广泛的 研究 [4][5][6] 。 掺杂改性是提高压电材料的常用手段, 其中 Ca 2+ 经常被用于钙钛矿与铋层状压电陶瓷的掺杂改 性研究, 使陶瓷的压电性能和居里温度得到显著提 高 [4,[7][8][9] 。铁电陶瓷材料 SrBi 2 Nb 2 O 9 (SBN)是由二维 钙钛矿层(SrNb 2 O 7 ) 2-和(Bi 2 O 2 ) 2+ 沿 c 轴方向交替排 列而成, 具有典型的铋层状结构, 其中(SrNb 2 O 7 ) 2-由两个 NbO 6 正八面体的钙钛矿结构构成, Sr 与 Nb 分别处于 A 位和 B 位 [10] 。SrBi 2 Nb 2 O 9 (SBN)基压电 陶瓷因其独特的结构特点而引起研究者的极大兴 趣。 Fang 等 [11][12] [14][15][16][17] , 限制了其在生 [24] , 与…”
unclassified
“…无 机 材 料 学 报 第 30 卷 铁电材料具存储密度高等优点, 在存储器和 逻辑器件等方面有着非常好的应用前景, 特别是铋 层状钙钛矿结构铁电材料(bismuth layer-structured ferroelectrics : BLSFs)因其具有较好的抗疲劳性能, 且与钙钛矿结构无铅压电陶瓷 [1][2] 相比, 兼有居里 温度高和漏电流小 [3] 等特点而成为目前铁电存储 器应用研究的主要材料。但是, 铁电材料中存在的 缺陷, 以及它们畴界间的相互作用, 严重影响了材 料的性能, 对于铋层状结构无铅压电材料来说, 压 电性能还没有得到充分提高, 因此国内外研究工 作者从工艺和掺杂改性的角度对其进行了广泛的 研究 [4][5][6] 。 掺杂改性是提高压电材料的常用手段, 其中 Ca 2+ 经常被用于钙钛矿与铋层状压电陶瓷的掺杂改 性研究, 使陶瓷的压电性能和居里温度得到显著提 高 [4,[7][8][9] 。铁电陶瓷材料 SrBi 2 Nb 2 O 9 (SBN)是由二维 钙钛矿层(SrNb 2 O 7 ) 2-和(Bi 2 O 2 ) 2+ 沿 c 轴方向交替排 列而成, 具有典型的铋层状结构, 其中(SrNb 2 O 7 ) 2-由两个 NbO 6 正八面体的钙钛矿结构构成, Sr 与 Nb 分别处于 A 位和 B 位 [10] 。SrBi 2 Nb 2 O 9 (SBN)基压电 陶瓷因其独特的结构特点而引起研究者的极大兴 趣。 Fang 等 [11][12] [14][15][16][17] , 限制了其在生 [24] , 与…”
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