Micro-Raman Mapping of 3C-SiC Thin Films Grown by Solid–Gas Phase Epitaxy on Si (111)

Abstract

A series of 3C-SiC films have been grown by a novel method of solid–gas phase epitaxy and studied by Raman scattering and scanning electron microscopy (SEM). It is shown that during the epitaxial growth in an atmosphere of CO, 3C-SiC films of high crystalline quality, with a thickness of 20 nm up to few hundreds nanometers can be formed on a (111) Si wafer, with a simultaneous growth of voids in the silicon substrate under the SiC film. The presence of these voids has been confirmed by SEM and micro-Raman line-mapping experiments. A significant enhancement of the Raman signal was observed in SiC films grown above the voids, and the mechanisms responsible for this enhancement are discussed.

Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов

“…Учитывая ранее полученные экспериментальные дан-ные по электронографии, фотолюминесценции, высо-коразрешающей микроскопии, растровой микроскопии, эллипсометрии и рамановской спектроскопии пленок SiC [2][3][4][5]12,13], выращенных методом замещения ато-мов, а также, принимая во внимание теоретический анализ механизма роста пленок SiC [2,5], результаты анализа ИК-спектров поглощения можно интерпретиро-вать следующим образом. Слои SiC, выращенные ме-тодом замещения атомов представляют собой сложную слоистую структуру [2][3][4][5]12,13].…”

“…Слои SiC, выращенные ме-тодом замещения атомов представляют собой сложную слоистую структуру [2][3][4][5]12,13]. На поверхности слой является монокристаллическим.…”

“…Основное внимание в данной работе уделяется определению состава, плот-ности, толщины и шероховатости поверхности пленок методом рентгеновской рефлектометрии с использо-ванием специально разработанного метода моделиро-вания [10], ранее не применявшихся к исследованию пленок данного типа. Эти данные будут сопоставляться с результатами исследований, полученных с использо-ванием методов ИК-спектроскопии и атомно-силовой микроскопии [2][3][4][5][6][11][12][13][14][15][16], пленок SiC, синтезированных методом замещения атомов и пленок SiC, выращенных методом ионной имплантации.…”

Ик-Спектры Углерод-Вакансионных Кластеров При Топохимическом Превращении Кремния В Карбид Кремния

“…Как видно из рис. 5 рас-четный спектр хорошо согласуется с эксперименталь-ным [20] как в области сильной дисперсии диэлектри-ческой проницаемости SiC, так и в широкой области слабой дисперсии диэлектрической проницаемости SiC 1000−5000 cm −1 (см. вставку к рис.…”

Исследование анизотропных упругопластических свойств пленок beta-Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-, синтезированных на подложках SiC/Si

“…Слой SiC формировали методом химического замещения атомов [10] на поверх-ности кремния. Некоторые свойства слоев SiC описаны в работах [11,12]. В настоящей работе было показано, что пленки β-Ga 2 O 3 , выращенные на структуре SiC на Si, имеют структуру, близкую к эпитаксиальной и состоят из чистой β-фазы.…”