2016
DOI: 10.1016/j.ijleo.2016.05.011
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Mechano and photoluminescence spectra of cadmium sulphide and cadmium selenide doped phosphors

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
5

Citation Types

0
1
0
10

Year Published

2017
2017
2024
2024

Publication Types

Select...
5
3

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 21 publications
(11 citation statements)
references
References 31 publications
0
1
0
10
Order By: Relevance
“…В спектрах люминесценции монокристаллов и порошка ZnS при длинах волн > 380 нм наблюдается серия полос, связанных с дефектами кристаллической структуры [1][2][3][4][5][6]. Люминесценцию ZnS описывают механизмами Шёна-Клазенса и Ламбе-Клика, соответственно, при длинах волн < 550 и > 620 нм [7,8].…”
Section: Introductionunclassified
“…В спектрах люминесценции монокристаллов и порошка ZnS при длинах волн > 380 нм наблюдается серия полос, связанных с дефектами кристаллической структуры [1][2][3][4][5][6]. Люминесценцию ZnS описывают механизмами Шёна-Клазенса и Ламбе-Клика, соответственно, при длинах волн < 550 и > 620 нм [7,8].…”
Section: Introductionunclassified
“…Для описания люминесценции полупроводниковых структур применяются модели Шёна-Клазенса, Ламбе-Клика, Вильямса-Пренера [14,15]. Возбуждение люминесценции связано с межзонным переходом электронов из валентной зоны ZnS в зону проводимости.…”
Section: Introductionunclassified
“…Для синтеза простых КТ и многослойных КТ (МКТ), как и для объемных кристаллических люминофоров, широко применяются полупроводники группы А II В VI [12][13][14][15][16][17][18][19][20][21]. Впервые в качестве " адаптеров несоответствий решетки" в системах " ядро/оболочка/оболочка" были применены CdS или ZnSe в системе CdSe/ZnS [22,23].…”
Section: Introductionunclassified
“…Послойное легирование многослойных структур можно рассматривать в качестве одного из способов " сглаживания" несоответствий кристаллических решеток по-лупроводников на границе слоев, а также как способ формирования предсказуемой энергетической диаграммы каждого слоя и частицы в целом посредством формирования дефектов в объеме кристаллов каждого слоя и на их поверхности [20,[30][31][32][33][34][35]. Кроме того, в легированных полупроводниках кроме рекомбинационной наблюдается внутризонная люминесценция [12,19]. Она связана с эмиссионными переходами электронов между собственными уровнями энергии активаторов [15,17,19].…”
Section: Introductionunclassified
See 1 more Smart Citation