Mechanical understanding of 100 mm InP and GaAs direct bonded heterostructure

Imbert, B.; Blot, X.; Tauzin, A.; Salvetat, T.; Lagoutte, E.; Lecouvey, Christophe; Chaira, T.; Larrey, Vincent; Bridoux, Claudine; Fournel, Frank; Delaye, V.; Papon, A.M.; Moriceau, H.; Carron, V.

doi:10.1007/s00542-015-2438-2

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Следует отметить, что области со светлым контрастом расположены относительно интерфейса спекания как со стороны GaAs, так и со стороны InP. Такого рода внедрения, а также образование аморфного слоя обычно связаны с различными типами оксидов III−V: оксид индия [7], оксид галлия [18,19] и(или) оксид мышьяка [18]. При повышенном давлении и температуре > 350 • С также возможна локальная кристаллизация оксида галлия [19].…”

Section: результаты и обсуждениеunclassified

Вертикально-Излучающие Лазеры Спектрального Диапазона 1.55 Мкм, Изготовленные По Технологии Спекания Гетероструктур, Выращенных Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии Из Твердотельных Источников

Блохин¹,

Неведомский²,

Бобров³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The GaAs-InGaAsP heterointerfaces formation have been studied and optimized using a direct intermolecular wafer bonding (fusion)of an active region heterostructure on an InP substrate and distributed Bragg reflector heterostructures on GaAs substrates for the fabrication of hybrid heterostructures of long-wave vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSEL). The heterostructures were grown by solid-source molecular beam epitaxy. It was shown that in the case of incomplete removal of oxide films during the preparation of the wafers before fusion and/or the presence of adsorbed water on the wafer surfaces, the fused interface contains a large number of amorphous inclusions, most likely related to the III-group oxides. Optimization of the formation regimes of a buried tunnel junction on the surface of the InP-based heterostructure made it possible to reduce the surface roughness down to 1 nm and to ensure the thickness of the GaAs-InGaAsP fused interface < 5 nm, with no dislocations or other extended defects in the region of the fused heterointerfaces. The 1.55 μm-range VCSELs fabricated from the hybrid heterostructures created by using the developed technology demonstrate efficient lasing under continuous wave pumping over a wide temperature range, which indicates the high optical quality of the fused heterointerfaces in the VCSEL heterostructure.

show abstract