2013
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.101
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MBE growth and characterization of (100) and (631)-oriented modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures

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“…Es utilizada para conocer los efectos de los estados superficiales, los campos eléctricos internos de estructuras semiconductoras, calidad interfacial, entre otros. [3,4] Para ampliar la teoría sobre la técnica de FR, se recomienda revisar las referencias [5,6].…”
Section: Introductionunclassified
“…Es utilizada para conocer los efectos de los estados superficiales, los campos eléctricos internos de estructuras semiconductoras, calidad interfacial, entre otros. [3,4] Para ampliar la teoría sobre la técnica de FR, se recomienda revisar las referencias [5,6].…”
Section: Introductionunclassified