Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells

Bovkun, L. S.; Криштопенко, С. С.; Иконников, А. В.; Aleshkin, V. Ya.; Kadykov, A. M.; Ruffenach, Sandra; Conséjo, Christophe; Теппе, Ф.; Knap, W.; Орлита, М.; Piot, B. A.; Potemski, M.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.; Гавриленко, В. И.

doi:10.1134/s1063782616110063

Cited by 14 publications

(13 citation statements)

References 23 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Obviously, if one reduces the symmetry of 2D system, the picture of the corner states should change as well. Further, we consider -symmetric QWs grown along (013) crystallographic direction inspired by recent experimental investigations of double HgTe QWs of the same orientation 58 – 60 .…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

“…Band structure calculations were performed by using multi-band k p Hamiltonian 49 , which directly takes into account the interactions between , , and bands in bulk materials. This model well describes the electronic states in a wide range of narrow-gap semiconductor QWs, particularly in the InAs/GaInSb 46 , 48 and HgTe/CdHgTe QWs 58 – 60 . In the multi-band k p Hamiltonian, we also took into account the terms, describing the strain effect arising because of the mismatch of lattice constants in the buffer, QW layers, and barriers.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 91%

See 1 more Smart Citation

Higher-order topological insulator in cubic semiconductor quantum wells

Криштопенко

2021

Sci Rep

View full text Add to dashboard Cite

The search for exotic new topological states of matter in widely accessible materials, for which the manufacturing process is mastered, is one of the major challenges of the current topological physics. Here we predict higher order topological insulator state in quantum wells based on the most common semiconducting materials. By successively deriving the bulk and boundary Hamiltonians, we theoretically prove the existence of topological corner states due to cubic symmetry in quantum wells with double band inversion. We show that the appearance of corner states does not depend solely on the crystallographic orientation of the meeting edges, but also on the growth orientation of the quantum well. Our theoretical results significantly extend the application potential of topological quantum wells based on IV, II–VI and III–V semiconductors with diamond or zinc-blende structures.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 99%

Section: Methodsmentioning

confidence: 91%

Higher-order topological insulator in cubic semiconductor quantum wells

Криштопенко

2021

Sci Rep

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Obviously, if one reduces the symmetry of 2D system, the picture of the corner states should change as well. Further, we consider C 2h -symmetric QWs grown along (013) crystallographic direction inspired by recent experimental investigations of double HgTe QWs of the same orientation [58][59][60].…”

Section: E Topological Corner Statesmentioning

confidence: 99%

Higher-order topological insulator in cubic semiconductor quantum wells

Krishtopenko

2021

Preprint

View full text Add to dashboard Cite

“…Линия δ, которая является " продолжением" классического ЦР, соответствует переходу с уровня n = 1 ↑ на уровень n = 2 ↑ в зоне проводимости H − 1 . Магнитные поля, в которых возникают линии α и γ и затухает линия δ, соответствуют в первом случае депопуляции конечных для рассматриваемых переходов уровней Ландау n = 1 ↑ и n = 0, а во втором случае -депопуляции состояний на этих уровнях [21]. С последним переходом может быть связана слаборазличимая на уровне шума (что обусловлено близостью края поглощения в светоделителе KBr) " горизонтальная" линия поглощения с энергией 52 мэВ в интервале магнитных полей 15−20 Тл.…”

Section: результаты и обсуждениеunclassified

Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл

Bovkun

Маремьянин²,

Иконников³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы спектры циклотронного резонанса электронов в классических и квантующих магнитных полях в асимметричных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с селективным легированием барьеров. Выполнены самосогласованные расчеты энергетических спектров (при B = 0) и уровней Ландау в рамках 8-зонной модели Кейна в приближении Хартри. В слабых полях обнаружено сильное расщепление линии циклотронного резонанса (∼ 10%), связанное с эффектом Рашбы в образцах как с инвертированной, так и с нормальной зонной структурой. Эволюция линий поглощения с магнитным полем прослежена вплоть до 34 Тл, когда магнитное квантование уже превалирует над расщеплением Рашбы.

show abstract

Magnetospectroscopy of double HgTe/CdHgTe quantum wells

Cited by 14 publications

References 23 publications

Higher-order topological insulator in cubic semiconductor quantum wells

Higher-order topological insulator in cubic semiconductor quantum wells

Higher-order topological insulator in cubic semiconductor quantum wells

Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл

Contact Info

Product

Resources

About