Magnetooptical response to tunnel magnetoresistance in manganite films with a variant structure

Abstract

Article 25fa pilot End User Agreement This publication is distributed under the terms of Article 25fa of the Dutch Copyright Act (Auteurswet) with explicit consent by the author. Dutch law entitles the maker of a short scientific work funded either wholly or partially by Dutch public funds to make that work publicly available for no consideration following a reasonable period of time after the work was first published, provided that clear reference is made to the source of the first publication of the work. This publication is distributed under The Association of Universities in the Netherlands (VSNU) 'Article 25fa implementation' pilot project. In this pilot research outputs of researchers employed by Dutch Universities that comply with the legal requirements of Article 25fa of the Dutch Copyright Act are distributed online and free of cost or other barriers in institutional repositories. Research outputs are distributed six months after their first online publication in the original published version and with proper attribution to the source of the original publication. You are permitted to download and use the publication for personal purposes. All rights remain with the author(s) and/or copyrights owner(s) of this work. Any use of the publication other than authorised under this licence or copyright law is prohibited. If you believe that digital publication of certain material infringes any of your rights or (privacy) interests, please let the Library know, stating your reasons.

Magnetoreflection and Kerr Effect in La2/3Ba1/3MnO3 Films with a Variant Structure

“…It has been shown previously that there is the magnetic transmission effect in La 2/3 Ba 1/3 MnO 3 /ZrO 2 (Y 2 O 3 ) films with a variant structure in the region of interaction between light and carriers; the temperature and field dependences of this effect correlates with both GMR near T C and TMR in the low-temperature region [13]. A comparative analysis of the optical and MO properties of La 2/3 Ba 1/3 MnO 3 films with and without a variant structure revealed specific features of the physical mechanisms responsible for the tempera-…”

Магнитоотражение и эффект Керра в пленках La-=SUB=-2/3-=/SUB=-Ba-=SUB=-1/3-=/SUB=-MnO-=SUB=-3-=/SUB=- с вариантной структурой

“…туннельного" магнитоотражения при T ≪ T C , т. е. в области существования туннельного магнитосопротивления. Ранее [13] нами было показано наличие корреляции между туннельным магнитосопротивлением и магнитопропусканием света в пленке LBM/YSZ. Наличие большого по величине эффекта магнитопропускания при температурах, близких к 0 K объяснялось изменением высокочастотной составляющей проводимости, обусловленным влиянием магнитного поля на процессы туннелирования спинполяризованных электронов через когерентные границы структурных доменов в пленке с вариантной структурой.…”

“…Наличие большого по величине эффекта магнитопропускания при температурах, близких к 0 K объяснялось изменением высокочастотной составляющей проводимости, обусловленным влиянием магнитного поля на процессы туннелирования спинполяризованных электронов через когерентные границы структурных доменов в пленке с вариантной структурой. Таким образом, появление в пленках LBM/YSZ дополнительного низкотемпературного вклада в магнитоотражение света в области взаимодействия света с носителями заряда при низких температурах также логично связать со спин-поляризованным туннелированием электронов через границы структурных доменов в пленке [13,31,33]. Очевидно, что предложенная теория магниторефрактивного эффекта для манганитов в дальнейшем должна быть доработана для учета нескольких механизмов проводимости, разделенных как по температуре, так и по спектру.…”

“…В то же время уже при T = 80 K туннельное магнитосопротивление пленки с вариантной структурой LBM/YSZ, как и магнитопропускание [13], имеет выраженный гистерезис и быстро насыщается в полях H > 2.5 kOe. Аналогичная корреляция с туннельным магнитосопротивлением наблюдается и для полевых зависимостей магнитоотражения R/R(H), с выходом на насыщение в полях H > 2.5 kOe при T = 80 K. Небольшая асимметрия значений магнитоотражения при смене направления поля обусловлена как изменением температуры образца в процессе измерений, так и возможным вкладом поляризационных эффектов, аналогично как в схеме на пропускание света [34].…”

“…Ранее было показано, что в пленках La 2/3 Ba 1/3 MnO 3 /ZrO 2 (Y 2 O 3 ) с вариантной структурой в области взаимодействия света с носителями заряда существует эффект магнитопропускания, температурные и полевые зависимости которого коррелируют как с КМС вблизи T C , так и с ТМС в области низких температур [13]. Сравнительный анализ оптических и магнитооптических свойств пленок La 2/3 Ba 1/3 MnO 3 , обладающих и не обладающих вариантной структурой, позволил выявить особенности физических механизмов, ответственных за температурные и полевые зависимости магнитопропускания в этих пленках.…”