Magnetic debris mitigation system for extreme ultraviolet sources

Abstract

In extreme ultraviolet (EUV) lithography, plasmas are used to generate EUV light. Unfortunately, these plasmas expel high-energy ions and neutrals which damage the collector optic used to collect and focus the EUV light. One of the main problems facing EUV source manufacturers is the necessity to mitigate this debris. A magnetic mitigation system to deflect ionic debris by use of a strong permanent magnet is proposed and investigated. A detailed computational model of magnetic mitigation is presented, and experimental results from an EUV source confirm both the correctness of the model and the viability of magnetic mitigation as a successful means of deflecting ionic debris. Elg et al.: Magnetic debris mitigation system for extreme ultraviolet sources Downloaded From: http://nanolithography.spiedigitallibrary.org/ on 05/15/2015 Terms of Use: http://spiedl.org/terms

Feasibility study on reactive ion etching occurrence in EUV-induced photoionized hydrogen plasmas based on electron temperature and electron density measurements

“…There are several debris-mitigation strategies (buffer gas, 8,9) magnetic field, [10][11][12] and in situ etching [13][14][15][16][17][18][19] ), and the use of hydrogen as a buffer gas has been particularly successful in reducing debris contamination. 3) The gas introduced into the EUV source chamber decelerates and stops high-energy Sn ions/atoms, preventing damage to the collector-mirror from sputtering and implantation.…”

Измерения абсолютных значений интенсивности излучения в диапазоне длин волн 6.6-32 nm мишени из нержавеющей стали при импульсном лазерном возбуждении

“…Фактически единственным недостатком этого типа источников является сильная эрозия мишени, которая может приводить к загрязнению элементов конструкции и оптики продуктами эрозии мишени. Однако в последнее время найден ряд способов, эффективно решающих эту проблему [15,16]. В рефлектометрах, когда излучение в спектрометр проходит через маленькие (порядка 100 µm) щели, а первый рентгенооптический элемент скользящего падения находится на большом (от метра и более) расстоянии, эта проблема решается " автоматически".…”

“…Несмотря на заметное число работ по ЛПИ с твердотельной мишенью для рефлектометрических приложений, в частности, упомянутых выше, в них главным образом приводятся спектральные зависимости интенсивности зондового пучка. Исключением являются работы, направленные на разработку источников ЭУФ и МР излучения для литографических приложений на длины волн 13.5 nm [13,14] и 6.67 nm [15][16][17][18][19][20][21]. Поэтому для практических применений знание об излучательных характеристиках источника крайне важно для понимания возможностей источника с точки зрения рабочего спектрального диапазона и оптимизации рентгенооптических элементов прибора, так как на вид и интенсивность регистрируемого спектра заметное влияние оказывают спектральные зависимости коэффициентов отражения от зеркал, эффективность дифракционной решетки и спектральная чувствительность детектора.…”

The effects of using axial magnetic field in extreme ultraviolet photon sources for nanolithography – recent integrated simulation

“…Regarding LPPs for EUV sources, issues with measurement of desired radiation generation, core plasma variability, and energy conversion efficiency (CE) in the UV range continue to remain critical. Currently many efforts are being spent in developing an efficient and debris free LPP sources at 13.5 nm for next generation EUV lithography (Sizyuk & Hassanein et al, 2014b;Elg et al, 2015). Tin is considered as the most efficient material for producing plasmas, which emits strongly in the in-band region (13.5 nm with 2% bandwidth) due to transitions of various ionic stages (Sn 8+ -Sn 14+ ).…”