Low-Voltage AlGaAs/GaAs Thyristors as High-Peak-Current Pulse Switches for High-Power Semiconductor Laser Pumping

Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС

“…Тиристоры на основе арсенида галлия, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС), привлекают в последнее время внимание исследователей с точки зрения создания низковольтных сильноточных ключей, применяемых, например, для решения проблемы генерации коротких импульсов тока большой амплитуды в цепях с низкоимпедансной нагрузкой [1]. Практически все известные на сегодняшний день исследования по созданию A III B V тиристоров (в том числе на GaAs-структурах) проводились с высоковольтными конструкциями, выращенными методом жидкофазной эпитаксии [2,3].…”

“…В основе этих конструкций были толстые (от десятков до сотен микрометров), слаболегированные (∼ 10 14 −10 15 см −3 ) базовые слои, обеспечивающие напряжение переключения ∼ 1 кВ. Однако эти решения неэффективны, когда нагрузка имеет низкое сопротивление [1]. Метод ГФЭ МОС позволяет выращивать тонкие слои (от десятых долей до единиц микрометров) с уровнем легирования ∼ 10 16 см −3 .…”

Influence of chemical treatment and surface topology on the blocking voltage of GaAs thyristor mesastructures, grown by MOCVD

“…Thyristors based on gallium arsenide, grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), recently attract attention of researchers in terms of development of low-voltage high-current switches, applied, for instance, for solution of the problem related to generation of short high-peak-current pulses in low-impedance load circuits [1]. Almost all currently known studies on fabrication of A III B V thyristors (including the ones based on GaAs structures) were performed using high-voltage structures, grown using liquid phase epitaxy method [2,3].…”

“…These structures were based on thick (from dozens to hundreds micrometers), lightly-doped (∼ 10 14 −10 15 cm −3 ) base layers, providing the switching voltage of ∼ 1 kV. However, these solutions are ineffective, when load has low resistance [1]. The MOCVD method allows to grow thin layers (from tenths to several micrometers) with doping level of ∼ 10 16 cm −3 .…”