“…Тиристоры на основе арсенида галлия, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС), привлекают в последнее время внимание исследователей с точки зрения создания низковольтных сильноточных ключей, применяемых, например, для решения проблемы генерации коротких импульсов тока большой амплитуды в цепях с низкоимпедансной нагрузкой [1]. Практически все известные на сегодняшний день исследования по созданию A III B V тиристоров (в том числе на GaAs-структурах) проводились с высоковольтными конструкциями, выращенными методом жидкофазной эпитаксии [2,3].…”