Infrared absorption associated with localized vibrational modes in CdTe containing both Li and a group IV impurity (Si, Ge, or Sn) is studied. On the basis of the obtained experimental results it is established that the following point defects play a dominant role: 1. isolated Li,,, 2. Licd-Lii nearest-neighbour pairs, and 3. Li,,-M,, next-nearest-neighbour pairs, where M,, denotes a Si, Ge, or Sn impurity at a Cd site. It is also found that some localized vibrational modes of Licd-Mc, pairs are connected with the coupled motion of Li,, and M,, impurities and that the model of a weakly coupled impurity pair, usually used to analyze experimental results, is not applicable in this case.L'absorption infrarouge associee aux modes localises est etudie dans le CdTe containant en m2me temps les impuretes de lithium et les impuretes du groupe IV (Si, Ge, ou Sn). Sur la base des resultats obtenus on a etablie que les defauts suivants jouent un r6le dominant: 1. Li,, isole, 2. paires Li,,-Li, avec les atomes en positions de premikres voisins, et 3. paires Licd-M,, avec les atomes en positions de second voisins, ou M,, designe une impurete de Si, Ge ou Sn remplaqante un atome de cadmium. On a aussi constate que certains modes localists des paires Licd-Mcd sont associes au mouvement couple des impuretes Li,, et M,, et que le modele d'une paire faiblement couplee, habituellement utilise dans l'analyse des resultats exptrimentaux, est inapplicable dans ce cas.