The emission spectra of CdSe crystals under the excitation in the region of fundamental absorption with the He-Ke laser line 3, = 6328 A have been studied at temperatures 4.2 t o 300 OK. A set of narrow emission lines shifted by the energies of an integer number of LO phonons to lower energies from the exciting line has been observed in the region of fundamental absorption. No emission line has been observed a t the posit,ion shifted by 1 LO. The intensity of LO-shifted lines drastically decreases with increasing crystal temperature. It is shown that this temperature dependence and the comparable intensity of multiphonon lines cannot be explained on the basis of a resonant ltaman scattering model. The observed line emission was assigned to a luminescence of hot excitons. The latter model can explain both thermal quenching of emission and intensity distribution in the spectrum. I n the emission spectra of mechanically polished samples a defect activated 1 LO emission line has been observed. This line is due to the indirect exciton transitions without phonon participation in the partially disordered surface layer. Besides the line structure, the continuous emission background has been observed in the region of fundamental absorption. This background forms t,he high energy exponential tail of the quasi-equilibrium exciton emission line n = 1 A and can be considered as Urbach region of t,he exciton emission spectrum.Es wurden die Emissionsspektren von CdSe-Kristallen bei Anregung im Bereich der Grundgitterabsorption mit der He-Nc-Laserlinie 1 = 6328 A im Temperatnrbereich 4,2 bis 500 OK untersucht. Eine Anzahl von schmalen Emissionslinien, deren Energie um ganzzahlige Vielfache der LO-Phononen yon der Anregungslinie zu niedrigen Energien verschoben sind, wurden im Gebiet de,r Crundgitterabsorption heobachtet. Am Ort der Verschiebung urn 1 LO wurde keine Emissionslinie beobachtet. Die Intensitat der LOverschobenen Linien nimmt stark mit steigcnder Kristalltemperatur ab. Es wird gezeigt, dall die Temperaturabhangigkeit und die relat,ive Intensitit der Multiphononlinien auf der Basis eines resonanten Itaman-Streuungsmodells nicht erkliirt werden konnen. Die beobachtete Linienemission wird als Lumineszenz heiBer Exzitonen angesehen. Das letztere Model1 kann sowohl die thermische Tilgung der Emission als auch die Intensitiitsverteilung des Spektrums erklaren. I m Emissionsspektrum von mechanisch polierten Proben wurde eine storstellenaktivierttc 1 LO-Emissionslinie beobachtet. Diese Linie riihrt von indirekten Exzitonenubergiingen ohne Phononenbeteiligung in der teilweise fehlgeordneten Oberflachenschicht her. Xeben der Linienstruktur wurde der kontinuierliche Untergrund im Bereich der Grundgitterabsorption untersucht. Dieser Untergrund bildet den hochenergetischen exponentiellen Auslaufer der Quasigleichgewichts-Exzitonenemissionslinie n = 1 A und kann als Urbach-Bereich des Exzitonen-Emissionsspcktrums angesehen werden.