Построена аналитическая теория пикосекундного переключение высоковольтных об-ратносмещенных p + -n-n + -структур в проводящее состояние при воздействии импульсного освещения и проведено численное моделирование этого процесса. Объединение результатов теории и моделирования позволило получить простые соотношения между параметрами структуры, светового импульса, внешней цепи и основными характеристиками процесса -амплитудой импульса тока активной нагрузки и длительностью процесса коммутации.
ВведениеИзучение мощных субнаносекундных полупроводниковых коммутаторов, управляе-мых короткими импульсами оптического излучения, началось более 40 лет назад [1-2] и про-должается до сих пор (см., например, [3][4][5]). В большинстве экспериментов в качестве полу-проводникового элемента использовались однородные высокоомные кристаллы или пленки с омическими контактами (то есть по сути дела -фотосопротивления), встроенные в разрыв микрополосковой линии. Предельная простота конструкции оказалась весьма привлекатель-ной для многих исследователей, продемонстрировавших уникальные возможности таких приборов. Однако недостаточно высокое темновое сопротивление сильно ограничивает пре-дельную напряженность поля при постоянном смещении и, вследствие этого, требует приме-нения импульсных источников питания. Этого недостатка фотосопротивлений лишены вы-соковольтные фотодиоды, в которых и при постоянном смещении легко достижимы напря-женности поля, близкие к пробивным. Первые эксперименты с фотодиодными коммутатора-ми были описаны в статьях [6-8], но дальнейшего развития эти работы не получили. Вероят-ной причиной этого является то, что теория процесса коммутации высоковольтных фотодио-дов, необходимая для их проектирования, по сути дела, отсутствует. Единственное известное нам исследование [9] посвящено лишь заключительной стадии процесса коммутации, во время которой практически все напряжение, блокируемое до подачи управляющего импуль-са, уже перераспределилось на нагрузку. Начальная же стадия, определяющая быстродейст-вие коммутатора, насколько нам известно, не изучалась. Этому вопросу и посвящена на-стоящая работа. S от-крыта для проникновения управляющего импульса оптического излучения внутрь структу-ры. Будем считать, что n-слой однородно легирован донорами с концентрацией d N ( рис. 1б), достаточно ма-лой для того, чтобы при начальном обратном смещении структуры 0 U истощенная область с сильным электрическим полем E занимает всю базу (рис. 1в);
Модель фотодиода