Libro de resúmenes del ECI 2020 de verano

Abstract

El grafeno ha emergido como una posible alternativa a circuitos electrónicos convencionales y como una forma de evitar el final de la ley de Moore que predica su crecimiento geométrico [1]. En este trabajo aplicamos el modelo de enlace fuerte (tight binding, TB) para encontrar los niveles de energía y funciones de onda de electrones en circuitos de grafeno nano estampado [2]. Simulamos el comportamiento de los circuitos en presencia de un campo eléctrico. Los resultados de las simulaciones demuestran el comportamiento semiconductor o metálico de acuerdo con la topología del dispositivo y el voltaje externo.