de tcnnalizac,:ào de p o r t a d o r t ' ~ fora do cquilibrio. Ern pontoi:l quânticos e outras nanoestruturas s e m i c . o n d u t o r a s ~ os nÍ\,.eis eletrônicos e os modos \ilb r a c i o n a i ~ p o ũ e m um caráter di:_:.;creto devido ao confinametlto n a ~ trfl:_:.; dimen:_:.;óes. O ci:lpcctro de f ô H m t ~ crn pontoi:l quú,nticos consiste de IIHJdoi:l c o n f i n a d o ~ t' m o d o ~ de i:lnpcrficic a i : \ i : \ o c i a d o ~ às interfaces. O modelo r n a c r o c ó p i c o contínuo r_, Ui:lado para determinaras hamiltonianas e os autovalores dos modos vibracionais. Os termos de acoplamento elPtron-fônon à o também determinado:_:.; a partir de esta teoria. :rviedidas de e:_:.;palhamento Raman corroboram a validade do:_:.; modelos c o n t í n u o ~ e o caráter discreto dos modo:_:.; vibracionaii:l. Nesta, t e ẽ revii:lamoi:l alguni:l ai:lpectos doi:\ procei:\i:\OS de relaxação em pontos e poç.os quâ.ntic.os semicondutores. Discutimos os principais problemas associados ao cálculo de relaxação de portadores principalmente em pontos quânticos, tais como: (i)O comportamento q u a ẽ -a t ô m i c o do:_:.; níveis e l e t r ô n i c o .(ii) A:_:.; dificuldade:_:.; na de:_:.;criçào da deni:lidade de ei:\tados. (iii) O caráter d i c T e t o doi:\ IIHJdoi:l vibracionais. (hr) A p o í v d apariçüo de oscilaçôei:l de Rabi.