Ferroelectrics - Material Aspects 2011
DOI: 10.5772/20107
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Lead-Free Ferroelectric Ceramics with Perovskite Structure

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“…Possui constante dielétrica relativamente alta (Yan et al, 2015), em temperatura ambiente no seu estado de pureza, em torno de 1.500 a 2.000 e resistividade na ordem de grandeza de até 10 10 .cm, aproximadamente (Mahbub et al, 2013) . Quando dopado com óxidos metálicos a sua constante dielétrica tende a se elevar em ordens de 10³ a 10 5 (Luoa et al, 2018) e a sua resistividade elétrica tende a diminuir para ordens entre 10 e 10 4 .cm, podendo, desta forma, exercer características de material semicondutor (Cheng, 1989;Pu et al, 2005;Gheno et al, 2007) Óxidos da família perovskita são amplamente utilizados na indústria de eletrocerâmicos, eletroeletrônicos, eletromecânicos e eletro-ópticos (Al-Shakarchi, 2010;López-Joárez et al, 2011;Asimalopoulos et al, 2014). O titanato de bário, por ser um material ferroelétrico com alta constante dielétrica em temperatura ambiente, é bastante utilizado na fabricação de capacitores multicamadas, termistores com coeficientes de temperatura positiva (PTCs), transdutores piezoelétricos e uma variedade de dispositivos ópticos (Wang et al, 2015;Mancini e Filho, 2007).…”
Section: Introductionunclassified
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“…Possui constante dielétrica relativamente alta (Yan et al, 2015), em temperatura ambiente no seu estado de pureza, em torno de 1.500 a 2.000 e resistividade na ordem de grandeza de até 10 10 .cm, aproximadamente (Mahbub et al, 2013) . Quando dopado com óxidos metálicos a sua constante dielétrica tende a se elevar em ordens de 10³ a 10 5 (Luoa et al, 2018) e a sua resistividade elétrica tende a diminuir para ordens entre 10 e 10 4 .cm, podendo, desta forma, exercer características de material semicondutor (Cheng, 1989;Pu et al, 2005;Gheno et al, 2007) Óxidos da família perovskita são amplamente utilizados na indústria de eletrocerâmicos, eletroeletrônicos, eletromecânicos e eletro-ópticos (Al-Shakarchi, 2010;López-Joárez et al, 2011;Asimalopoulos et al, 2014). O titanato de bário, por ser um material ferroelétrico com alta constante dielétrica em temperatura ambiente, é bastante utilizado na fabricação de capacitores multicamadas, termistores com coeficientes de temperatura positiva (PTCs), transdutores piezoelétricos e uma variedade de dispositivos ópticos (Wang et al, 2015;Mancini e Filho, 2007).…”
Section: Introductionunclassified
“…Defeitos extrínsecos, provocados pela adição de dopantes, podem promover modificações na temperatura de processamento, na microestrutura e nas propriedades elétricas e dielétricas do BaTiO3 (Kuwabara e Matsuda, 1997;López et al, 2011;Yang et al, 2016;Lu et al, 2018;Liu et al, 2019). A adição do óxido de silício (SiO2) pode aumentar sua densificação (Hsiang et al, 2008;Lee e Wang, 2009;Yadav e Gautam, 2014;, enquanto que o oxido de nióbio (Nb2O5) pode elevar sua condutividade elétrica (diminuindo a resistividade elétrica), pois o íon de nióbio (Nb 5+ ) ao substituir o íon de titânio (Ti 4+ ) pode propiciar o surgimento de vacância de titânio, criando assim, interstícios de bário e titânio respectivamente, otimizando, desta forma, os processos de difusão de portadores de carga do material (Paunovic et al, 2004;Li et al, 2015;Wu et al, 2010).…”
Section: Introductionunclassified
“…In the KNN processing the main disadvantage is the volatility of sodium and potassium at temperatures above 850 °C used at synthesis and sintering steps [9]. …”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…The inducing of structural instabilities in a material by doping or substitution can lead to the enhancement of its electromechanical properties, which may be induced by compositional instability (morphotropic phase boundary (MPB)), thermal instability (polymorphic phase transition (PPT)), stress fields or external electric fields. The major insight from the work of Saito et al was to highlight that the modification of the PPT with the use of dopants (e.g., Ta and Sb) [4] led to superior piezoelectric properties at room temperature, which appeared to be caused by the proximity of the temperature-induced PPT between tetragonal and orthorhombic phases at room temperature [5][6][7]. Tantalum as a dopant in KNN is known to hinder abnormal grain growth and to decrease both the Tc and the orthorhombic-tetragonal phase transition temperatures [8].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%