Laser-diode bars based on AlGaAsP/GaAs heterostructures emitting at a wavelength of 850 nm

Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства

“…Многокомпонентные твердые растворы соединений A III B V могут служить основой гетероструктур для эффективных оптоэлектронных приборов [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14]. Необходимым условием этого является получение совершенных по структуре эпитаксиальных слоев твердых растворов соединений A III B V и совмещение их по периоду решетки с бинарными соединениями, обладающими требуемыми электрофизическими характеристиками.…”

Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-y-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-y-=/SUB=-Bi-=SUB=-z-=/SUB=-Sb-=SUB=-1-z-=/SUB=-/GaSb

“…Гетероструктуры на основе многокомпонентных твердых растворов соединений A 3 B 5 широко используются для создания оптоэлектронных приборов [1][2][3][4][5]. Изменение ширины запрещенной зоны при сохранении периода решетки является важнейшим преимуществом четверных твердых растворов (ЧТР) соединений A 3 B 5 перед тройными [6][7][8][9][10]. Однако, такое ограничение, как термодинамическая неустойчивость многокомпонентных твердых растворов, приводящая к их спинодальному распаду, сужает область изопериодных составов ЧТР [11][12][13][14].…”

Тонкопленочные гетероструктуры In-=SUB=-x-=/SUB=-Al-=SUB=-y-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-y-=/SUB=-As-=SUB=-z-=/SUB=-Sb-=SUB=-1-z-=/SUB=-/GaSb, выращенные в поле температурного градиента

“…Многокомпонентные гетероструктуры на основе со-единений A 3 B 5 все чаще применяются в качестве эле-ментной базы оптоэлектроники [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14]. Интерес к ним вызван возможностью повышать совершенство гетеро-границы за счет одновременного согласования пара-метров решетки и коэффициентов термического расши-рения (КТР) сопрягаемых материалов.…”