Investigation of traps and minority-carrier diffusion length in n-CdSe films

Pandey, Rajeev; Gore, R.B.; Rooz, A J N

doi:10.1088/0022-3727/20/8/012

Cited by 22 publications

(9 citation statements)

References 21 publications

(7 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…It is also observed that the area under the curve increases as the duty cycle increases. The peak energy associated with the Se(3d 5/2 and 3d 3/2 ) level, which appeared at 53.9 and 59.2 eV respectively, the peak energy associated with Cd(3d 5/2 and 3d 3/2 ) occurred in the range of 405 and 411.7 eV respectively, which are in good agreement with the literature [9,10]. The peak values of Zn and Cd are found to shift towards Cd value in CdSe as the CdSe content increased.…”

Section: Resultssupporting

confidence: 91%

Structural, Optical and Electrical Properties of CdxZn1-xSe Films

Murali¹,

Balasubramanian²

2008

ECS Trans.

View full text Add to dashboard Cite

Thin films of cadmium zinc selenide have been deposited at room temperature by the pulse plating technique using ZnSO 4 , CdSO 4 and SeO 2 at room temperature and a deposition potential of -0.9V. The duty cycle was varied in the range of 6 -50 %. X-ray diffraction studies indicate the formation of cubic structure. The band gap increases from 1.72eV for CdSe films to 2.70eV for ZnSe films as the concentration of ZnSe increases. AFM studies indicated that the average grain size increases from 30 nm to 125 nm with increasing concentration of Zn.The values of the resistivity decreases from 10000 ohm cm to 100 ohm cm for the films deposited at a duty cycle of 50 % as the concentration of CdSe increases.

show abstract

Section: Resultssupporting

confidence: 91%

Structural, Optical and Electrical Properties of CdxZn1-xSe Films

Murali¹,

Balasubramanian²

2008

ECS Trans.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Manuscript submitted Jan. 15, 1992; revised manuscript received Jan. 6, 1992. The University of Guelph assisted in meeting the publication costs of this article.…”

Section: Acknowledgmentsmentioning

confidence: 99%

Hall Effect and Resistivity Characterization of Doped, Electrodeposited CdSe

Wynands

Cocivera

1992

J. Electrochem. Soc.

View full text Add to dashboard Cite

Doped CdSe thin films were electrodeposited onto indium-tin oxide (ITO) substrates that were pretreated with a thin layer of Se, Cd, or In. Hall effect and resistivity measurements were performed to determine the effects of doping on the resistivity, carrier concentration and carrier mobility. The data varied in a systematic fashion that correlated with the substrate treatment and doping procedures. Carrier concentrations ranged from 10 j ~to 10 ~ cm ', and the el ectrical resistivities were measured in the range of 1-> I x 10 ' ~l-cm. Hall effect mobilities were in the range of 1-50 cm~:/Vs. As doping levels increased, both resistivity and mobility decreased. Samples deposited on vapor treated ITO showed consistently high resistivities and moderate mobility values. When electrochemical treatments of ITO were used, the CdSe properties varied systematically with the amount of Cd or In e]ectrodeposited, exhibiting resistivities in the lower range and carrier densities in the higher range. The temperature dependent resistivity and Hall effect data were analyzed using the Seto-Baccarani model for polycrystalline semiconductors. This model assumes that the dominant transport mechanism is thermionic emission of carriers over the potential barriers that form at the intercrystalline grain boundaries.

show abstract

“…Οι επιφανειακές ατέλειες επιβραδύνουν τη μεταφορά φορτίου στη ζώνη εξάντλησης (περιοχή φορτίου χώρου) του ημιαγωγού και μειώνουν τη φωτοβολταϊκή απόδοση. Σύμφωνα με τους Pandey et al [129] ένα από τα αποτελέσματα της πύρωσης είναι η μετατόπιση του δυναμικού επίπεδης ζώνης (flat-band potential) σε πιό καθοδικές τιμές 1 . Η μετατόπιση αυτή είναι υπεύθυνη για αύξηση της τάσης ανοιχτού κυκλώματος (Voc)• Παρατηρείται, ότι στις συνθήκες αυτές η απόδοση μετατροπής σε PEC χαρακτηρίζεται από μεγαλύτερη ευαισθησία στο μέγιστο μήκος διάχυσης των οπών, το οποίο επίσης αυξάνει με την πύρωση λόγω του μεγαλύτερου μέσου μεγέθους των κρυσταλλιτών.…”

Section: φωτοηλεκτροχημική απόκρισηunclassified

Ηλεκτρολυτικη Παρασκευη Ημιαγωγων Καδμιου-Σεληνιου-Τελλουριου

Μπουρουσιαν¹

View full text Add to dashboard Cite

ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΕΒΔΟΜΟΔράση υποστρώματος -Μικροκρυσταλλικά φωτoηL•κτpόδιa 1.1 Προαπόθεση και ανοδικό φαινόμενο -Πειραματική διαδικασία 7.1.1 Συζήτηση αποτελεσμάτων 7.2 Απόθεση CdSe σε προσανατολισμένο Νΐ(ΙΟΟ) -Πειραματική διαδικασία 7.2.1 Συζήτηση αποτελεσμάτων 7.3 Φωτοηλεκτροχημική συμπεριφορά 7.4 Ερμηνευτικές σημειώσεις -Συμπεράσματα 7.4.1 Ενεργά κέντρα και πυρήνες κρυστάλλωσης 223 7.4.2 Νανοκρύσταλλοι και φαινόμενο κβαντικού μεγέθους 7.4.3 Βασικά Συμπεράσματα ΚΕΦΑΛΑΙΟ ΟΓΔΟΟ Παρασκευή CdSe και Cd(Se, Te) με ηλεκτροαπόθεση από λουτρά ύδατος-αιθυ&νογλυκόλης στους 110 XJ 8.1 Γενικά -Πειραματική διαδικασία 8.2 Συζήτηση αποτελεσμάτων 8.3 Συμπεράσματα , ΓΕΝΙΚΗ ΣΥΖΗΤΗΣΗ -ΣΥΜΠΕΡΑΣΜΑΤΑ ΠΑΡΑΡΤΗΜΑ Ι. Ημιαγωγικά στοιχεία και ενώσεις II. Περίθλαση ακτίνων Χ (XRD) -Εκτίμηση μεγέθους κρυσταλλιτών -Απορρόφηση ακτινοβολίας III. Ηλεκτρονική μικροσκοπία σάρωσης (SEM) IV. Μικρο-ανάλυση ακτίνων Χ από διασπορά ενέργειας (EDX) V. Μέτρηση εύρους ενεργειακών διακένων VI. Δείκτης διάθλασης και εκτίμηση πάχους δοκιμίων VII. Ηλεκτρικός χαρακτηρισμός δοκιμίων (φαινόμενο Hall) ΠΙΝΑΚΑΣ ΣΥΜΒΟΛΩΝ & ΣΥΝΤΜΗΣΕΩΝ. ΒΙΒΛΙΟΓΡΑΦΙΑ ' Η αντανάκλαση των φαινομένων αυτών στην αγωγιμότητα (επίδραση θερμοκρασίας) διευκρινίζεται στη παρ. 1.1.6. για ημιαγωγικά σώματα. '''Λ 12 Ο f '•• -ο \Ι Ι ßi ßAi nOMKH DÌ \ i " \ '-'Ι \®>\ γίνεταΐ'^ολύ σημαντική και ο διακεκριμένος χαρακτήρας π ή ρ του υλικού, \, αναιαετται. [1971 Η πυκνότητα των φορέων -όπως και η γνώση της στάθμης Fermiσχετίζεται με την πυκνότητα των προσμίξεων ή/και ατελειών του κρυστάλλου. Η κινητικότητα των φορέων καθορίζεται από τη μέση ελεύθερη διαδρομή μεταξύ διαδοχικών προσκρούσεων στα άτομα του πλέγματος του στερεού (άλλωστε, ισχύει και μ^ετ/ιη όπου τ ο χρόνος της μέσης ελεύθερης διαδρομής και m* η ενεργός μάζα του φορέα). Εξαρτάται επίσης, από το εύρος των ζωνών σθένους και αγωγιμότητας με τρόπο ώστε μιά ζώνη περιορισμένου εύρους έχει ως αποτέλεσμα μικρή κινητικότητα. Μιά ενεργειακή ζώνη παρουσιάζει μικρό εύρος όταν η επικάλυψη των ατομικών τροχιακών που την δημιουργούν είναι περιορισμένη. Αυτή είναι, συνήθως, και η περίπτωση των d-τροχιακών, όταν συμμετέχουν ως τροχιακά σθένους στην διαδικασία της ηλεκτρονιακής ενεργειακής επικάλυψης γειτονικών ατόμων. Η εικόνα είναι τελείως διαφορετική στην περίπτωση επικάλυψης s ή ρ τροχιακών -όπως στο Si -όπου προκύπτουν ζώνες μεγάλου εύρους [119]. Διακρίνεται, τέλος, μιά τάση στους κρυστάλλους με μικρά ενεργειακά διάκενα να χαρακτηρίζονται από υψηλές ευκινησίες ηλεκτρονίων, καθώς τα μικρά διάκενα συνδέονται με μικρές ενεργές μάζες.Σε έναν ιδεατό ενδογενή ημιαγωγό, η κινητικότητα προσδιορίζεται από τις συγκρούσεις μεταξύ των ηλεκτρονίων και των φωνονίων (κβάντων θερμικής ταλάντωσης του κρυσταλλικού πλέγματος). Η σκέδαση με φωνόνια είναι σημαντική όταν υπάρχουν σχετικά λίγα άτομα προσμίξεων ή σε υψηλές θερμοκρασίες. Σε μεγάλες συγκεντρώσεις προσμίξεων η κινητικότητα μπορεί να περιορίζεται δραστικά από τη σκέδαση σε άτομα προσμίξεων. Τα χαρακτηριστικά του φαινομένου εξαρτώνται από το αν η πρόσμιξη είναι ουδέτερη ή ιονισμένη.Γενικά, στις ημιαγωγικές ενώσεις, αυξημένος ...

show abstract

Investigation of traps and minority-carrier diffusion length in n-CdSe films

Cited by 22 publications

References 21 publications

Structural, Optical and Electrical Properties of CdxZn1-xSe Films

Structural, Optical and Electrical Properties of CdxZn1-xSe Films

Hall Effect and Resistivity Characterization of Doped, Electrodeposited CdSe

Ηλεκτρολυτικη Παρασκευη Ημιαγωγων Καδμιου-Σεληνιου-Τελλουριου

Contact Info

Product

Resources

About