Investigation of the Effect of Successive Low-Dose Gamma-Rays on c-Si Solar Cell

Abstract

Çalışmada, ardışık düşük doz gama () ışınlarının mono-kristal Silisyum (c-Si) güneş hücresi üzerine etkisi incelendi. ışını kaynağı olarak 60Co kullanılmıştır. c-Si güneş hücresinin performansı, radyasyon öncesi ve sonrası karanlık ve AM1.5G ışık koşullarında alınan akım-voltaj (I-V), dışsal kuantum verimlilik (EQE), kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/-V) ölçümleri ile belirlenmiştir. Deneysel sonuçlar, radyasyona maruz kaldıktan sonra hücrelerin idealite faktörlerinin arttığını göstermektedir. Doz miktarı arttıkça kısa devre akımı (Isc) ve verim () değerleri azalırken, açık devre voltajı (Voc) ve doluluk faktörü (FF) değerleri ise yaklaşık sabit kalmaktadır. Dışsal kuantum verimlilik (EQE) ölçümleri, güneş hücresinde oluşan hasarın taban katmanında oluştuğu gösterirken, hücrede oluşan bu hasarın azınlık yük taşıyıcısı yarı ömründe oluşan azalma ile ilişkilendirilmektedir. Ayrıca, aygıt performansındaki değişim C-V ve G/-V ölçümleri ile de doğrulanmıştır. Deneysel sonuçlar, radyasyon öncesi ve sonrası karşılaştırılarak tartışılmıştır.