Interaction between creep, oxidation and microporosity in reaction-bonded silicon nitride

The preparation of highly-porosity materials on base of silicon nitride

“…Благодаря быстрому образованию сплошной защитной пленки по абсолютной величине окисление при высоких температурах меньше, чем при низких. Так как зарастание тонких каналов происходит быстрее, то имеют преимущество тонкопористые материалы [37][38][39][40]. Для защиты от окисления РСНК при относительно низких температурах (800-1100 °С) в ряде работ рекомендуется также предварительная выдержка при более высоких температурах (1350-1450 °С) для образования защитной оксидной пленки (см., например, [41]).…”