2018
DOI: 10.1088/1742-6596/1094/1/012016
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Innovative trends in development of plasma technologies

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
2

Year Published

2019
2019
2021
2021

Publication Types

Select...
2

Relationship

0
2

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(2 citation statements)
references
References 13 publications
0
0
0
2
Order By: Relevance
“…7. СЭМ-изображение ассоциации кратеров на вольфраме, наблюдается последовательность кратеров 1-го и 2-го типов как свидетельство эволюции дугового процесса эктонного типа [15] исследований катодных пятен [14]. Систематическое исследование пятен показало, что ток на пятно меняется в широких пределах и зависит от ряда факторов, в том числе от скорости перемещения пятна [14], ток на одиночное пятно может достигать величины 10100 А. Для групповых пятен на вольфраме этот ток может быть больше в несколько раз.…”
Section: обсуждение результатовunclassified
See 1 more Smart Citation
“…7. СЭМ-изображение ассоциации кратеров на вольфраме, наблюдается последовательность кратеров 1-го и 2-го типов как свидетельство эволюции дугового процесса эктонного типа [15] исследований катодных пятен [14]. Систематическое исследование пятен показало, что ток на пятно меняется в широких пределах и зависит от ряда факторов, в том числе от скорости перемещения пятна [14], ток на одиночное пятно может достигать величины 10100 А. Для групповых пятен на вольфраме этот ток может быть больше в несколько раз.…”
Section: обсуждение результатовunclassified
“…6. Глубокие кратеры на вольфрамовой диафрагме на внутреннем обводе в токамаке ТГлубокий кратер катодного пятна 2-го типа на внутреннем обводе вольфрамовой диафрагмы в токамаке Т-10[15]…”
unclassified