Influence of the doping concentration on switching processes in psn rectifiers—I

Двойная Лавинная Инжекция В Диодных Лавинных Обострителях

“…Процесс рассасывания длится ∼ 10 нс после завершения сверхбыстрого лавинного переключения и приводит к уменьшению концентрации неравновесных носителей в несколько раз. Классическая теория [10][11][12] неприменима к этому процессу, так как рассасывание сопровождается ударной ионизацией в области сильного поля около p−n-перехода, что приводит к монополярной лавинной инжекции электронов в базу. Дрейфовое рассасывание не приводит к восстановлению блокирующей способности диода, а прекращается в результате качественной перестройки поля зарядом свободных носителей.…”

“…Принято считать, что основным процессом, ограничивающим время нахождения диодного обострителя в проводящем состоянии и, следовательно, максимальную длительность импульса тока, который может пропустить структура после переключения, является дрейфовое рассасывание ЭДП [2,3]. Это мнение основано на аналогии с детально исследованным процессом восстановления блокирующей способности низкочастотных силовых диодов при протекании обратного тока [10][11][12]. В настоящей работе показано, что данная аналогия неверна, и при коммутации диодным обострителем высоковольтных импульсов субмикросекундной длительности восстановления блокирующей способности диода вследствие дрейфового рассасывания не происходит.…”