Influence of structural defects on electric current in the channel of MOS-transistor

Smyntyna, V.; Кулініч, Оксана Андріївна; Glauberman, M. A.; Chemeresuk, G.; Yatsunsky, I.

doi:10.1109/crmico.2005.1565072

Cited by 1 publication

(1 citation statement)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Таке поле здатна створити, крiм окисної, i металева плiвка [16]. Зокрема показано, що використання Ni як бар'єрного контакту [17] стимулює утворення областi розупорядкованого кремнiю з власною дислокацiйною сiткою та деформацiйним полем. Однак використовувана в цьому дослiдженнi металева плiвка Bi не аморфiзує поверхнi кремнiю [16], тобто не створює умови додаткової дифузiї дефектiв з об'єму до поверхнi та ґенерацiї вiдповiдних ПС.…”

Section: результати дослIджень та їхнє обговоренняunclassified

Restructuring of the defected structure and centers of dislocation luminescence in the p-Si surface layers

Pavlyk¹,

Kushlyk²,

Slobodzyan³

et al. 2017

J. Phys. Stud.

View full text Add to dashboard Cite

Методом ємнiсно-модуляцiйної спектроскопiї глибоких рiвнiв, IЧ-спектроскопiї коливних рiвнiв молекул та атомiв дослiджено змiни дефектної структури приповерхневого шару кристалiв кремнiю p-типу провiдностi за дiї пластичної деформацiї та високотемпературного вiдпалу в атмосферi проточного кисню. Установлено особливу роль дислокацiй у приповерхневому шарi кремнiю при формуваннi його енерґетичного спектра та перебудовi дефектної структури. Показано, що при концентрацiї дислокацiй 10 5 см −2 приповерхневий шар збагачується електрично активними комплексами (дислокацiя-кисень, дислокацiя-вакансiя, дислокацiямiжвузловий атом кремнiю), якi є ефективними центрами випромiнювальної рекомбiнацiї.Ключовi слова: кремнiй, дислокацiя, глибокий рiвень, IЧ-спектроскопiя, поверхневi стани, високотемпературний вiдпал.

show abstract

Section: результати дослIджень та їхнє обговоренняunclassified