Influence of annealing medium on photoluminescence and optical properties of ZnSe:Cr crystals

Colibaba, G.V.; Caraman, Mihail; Evtodiev, Igor; Evtodiev, Silvia; Goncearenco, E.; Nedeoglo, D. D.; Nedeoglo, N.D.

doi:10.1016/j.jlumin.2013.07.018

Cited by 19 publications

(5 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The average crystallite size of the film is determined using equation (1), and the value of the Scherrer constant K is estimated to be 0.94 of the crystallite size using equation (2). Table 2 shows the calculated crystallite or grain size and dislocation density of the films deposited at different temperature room, 50 o C, 55 o C and 60 o C which agrees to similar studies by other researchers [20][21][22][23].…”

Section: Xrd Analysissupporting

confidence: 88%

Influence of Precursor Temperature on Bi Doped ZnSe Material via Electrochemical Deposition Technique for Photovoltaic Application

Ikhioya

Danladi

Nnanyere

et al. 2022

J. Nig. Soc. Phys. Sci.

View full text Add to dashboard Cite

In this study, Bismuth (Bi) doped ZnSe thin films were deposited on conducting glass substrates by electrochemical deposition technique and the influence of precursor temperature (room, 50, 55, 60 oC) on their optical and structural properties were systematically studied using the combined effect of X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscope (SEM) and UV-VIS spectrophotometer. The XRD patterns show a face-centred cubic structure indexed with peaks at (220), (221) and (300). The grain size was in the range of 3.24056 to 4.60481 nm with a lattice constant of 7.189Å. The material deposited at room, 500C, 550C, and 600C reveals agglomeration of particle on the surface of the substrate indicating uniform deposition. The optical spectra show that at different temperature (say room, 50oC, 55oC and 60oC), the absorbance and reflectance of BiZnSe thin films decreases with increase in wavelength of the incident radiation while the transmittance shows direct proportionality with the increase in wavelength. The bandgap demonstrated an increase in the range 1.75-2.25 eV with increase in temperature.

show abstract

Section: Xrd Analysissupporting

confidence: 88%

Influence of Precursor Temperature on Bi Doped ZnSe Material via Electrochemical Deposition Technique for Photovoltaic Application

Ikhioya

Danladi

Nnanyere

et al. 2022

J. Nig. Soc. Phys. Sci.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…During the past two decades, II-VI semiconductor nanocrystals have been widely studied for their fundamental properties and technological applications, mostly as tunable emitters for biomedical labeling, light emitting diodes, lasers, solar cells and sensors [1][2][3][4]. As one of the important Zn-based II-VI semiconductors, zinc selenide (ZnSe) has been considered a suitable material for optoelectronic devices due to its wide direct band gap (2.67 eV) and large exciton binding energy (21 meV) [5,6].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Characterization and photocatalytic activity of ZnSe nanoparticles synthesized by a facile solvothermal method, and the effects of different solvents on these properties

Feng

Cao

Yang

et al. 2014

Materials Research Bulletin

View full text Add to dashboard Cite

“…В качестве метода исследования будет использоваться двухфотонная конфокальная микроскопия (ДФКМ), которая позволяет изучать пространственное распределение люминесценции по всему объему кристалла толщиной до 3 мм с разрешением в несколько мкм. Хотя исследованию влияния отжигов на люминесценцию ZnSe посвящено много работ [9][10][11][12], такого рода эксперименты, по имеющейся у нас информации, проводятся впервые.…”

Section: Introductionunclassified

Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD-ZnSe

Калинушкин¹,

Гладилин²,

Уваров³

et al. 2022

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Исследуется влияние атмосферы отжигов CVD-ZnSe, проводимых в режимах, близких к процедуре их легирования железом, на люминесцентные характеристики этих кристаллов. Обнаружено, что отжиги в атмосфере аргона и селена приводят к качественному изменению примесно-дефектного состава и к сложному пространственному распределению люминесцентных характеристик CVD-ZnSe, особенно в области кристалла на расстоянии до 400 мкм от поверхности. В случае отжига цинка его люминесцентные характеристики более однородны, за исключением приповерхностной зоны шириной ~100 мкм, имеющей высокую интенсивность люминесценции во всем исследуемом спектральном диапазоне (0.44-0.72 мкм). Полученные результаты интерпретируются на основе предположения об испарении цинка при отжиге в аргоне и селене. На основе анализа пространственного распределения люминесценции делаются предположения о природе наблюдаемых примесно-дефектных центров. Ключевые слова: двухфотонная конфокальная микроскопия, CVD-ZnSe, примесно-дефектный состав, высокотемпературный отжиг.

show abstract

Influence of annealing medium on photoluminescence and optical properties of ZnSe:Cr crystals

Cited by 19 publications

References 17 publications

Influence of Precursor Temperature on Bi Doped ZnSe Material via Electrochemical Deposition Technique for Photovoltaic Application

Influence of Precursor Temperature on Bi Doped ZnSe Material via Electrochemical Deposition Technique for Photovoltaic Application

Characterization and photocatalytic activity of ZnSe nanoparticles synthesized by a facile solvothermal method, and the effects of different solvents on these properties

Влияние атмосферы отжига на люминесцентные характеристики CVD-ZnSe

Contact Info

Product

Resources

About