Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts

Le transistor M.O.S. de puissance en régime de saturation : la résistance de saturation et les effets de faible multiplication

“…de puissance dans tout le domaine des basses fréquences. Rappelons en effet que nos travaux antérieurs avaient permis de déterminer théoriquement le diagramme complexe d'impédance de sortie du transistor à une translation près [4]. Cette translation correspond précisément à l'inverse de la résistance de sortie que nous venons d'évaluer, de sorte qu'à présent, on peut déterminer et positionner dans le plan complexe, sans aucune ambiguïté, ce diagramme d'impédance de sortie des transistors M.O.S.…”

“…Les conditions de mesure correspondantes ont été détaillées dans une publication antérieure relative à l'étude des propriétés fréquentielles de l'admittance de sortie des transistors M.O.S. de puissance [4]. Les résultats que nous reportons ici, sont obtenus sur des transistors V.M.O.S.…”

“…Dans le 5e paragraphe, nous analyserons les propriétés de ces courants de multiplication et en particulier de la composante qui s'écoule par le substrat, puis formulerons théoriquement l'expression de RDav. L'ensemble constitue la résistance de sortie selon la relation : 1 4. Calcul théorique de la résistance RDe.…”

Influence de la température sur la vitesse limite des porteurs dans un transistor M.O.S. à canal court

“…Le diagramme d'admittance du transistor a été obtenu à l'aide du banc de mesure décrit dans [2]. Une faible tension alternative v(03C9) ( 100 mV) est superposée à la tension drain VD.…”

On the influence of ionizing radiation on the electrical properties of short-channel MOS transistors

“…Relationships (1) and 2show that in order to study the output conductance G as a function of the radiation dose it is necessary to study experimentally the two quantities : GD and lm [Y(co)].... 3. Experimental results.…”