Indium tin oxide thin films for silicon-based electro-luminescence devices prepared by electron beam evaporation method

Peculiarity of Forming Transparent Conducting Films on Basis of Oxides Indium-Tin for Contacts on Gan-Based Light Emitting Diodes

“…1). Как показано в работах [1,8,9,11,13,14], это связано с тем, что нанесенные на ненагретые подложки пленки аморфны, и только отжиг при температуре выше 200 °С приводил к кристалли-зации пленок, сопровождавшейся резким падением их электрического сопротивления. При дальнейшем повышении температуры отжига до 300 °С проис-ходит рост размеров кристаллитов и увеличение концентрации вакансий в пленке, расположенных по границам зерен [8].…”

“…2, кривая 1). Таким образом, оптическое пропускание образцов пленок ITO после отжига в воздухе растет с ростом температуры отжига, что соответствует результатам работ [9,13,14].…”

“…Во− первых, с их аморфной структу-рой, которая превращается в по-ликристаллическую после отжига, как это показал анализ рентгено-грамм отожженных образцов [1]. Во−вторых, в работах [10,[12][13][14][15] пришли к выводу, что непрозрач-ность пленок ITO после их нане-сения связана и с образованием дефицита кислорода в пленке из− за разложения оксидов при их ис-парении на субоксиды и кислород. В пленке были даже обнаружены частицы металлического индия [10,12].…”

“…Однако его опти-мальные условия (температура, атмосфера, продолжительность), по данным разных источников, различны и часто противоречат друг другу. Например, в работах [4,5,13] использовали отжиг в азоте, а в работах [10,[14][15][16][17] -отжиг в кислороде или на воздухе. В рабо-тах [4][5][6] применяли кратковре-менный отжиг (несколько минут) при высоких температурах 550-600 °С, а в работах [10,11,[14][15][16][17] -длительный (десятки минут или несколько часов) при сравнительно низких температурах 200-350 °С.…”

“…Поэтому трудно сопоставлять режимы. Кроме того, существуют и отдельные техноло-гические особенности используе-мых процессов, одна из которых -испарение ITO в вакууме [5,6,9,11] или с напуском кислорода в камеру [4,[13][14][15][16][17].…”