InAs/GaAs quantum dot solar cells with quantum dots in the base region

Thermally-driven formation method for growing (quantum) dots on sidewalls of self-catalysed thin nanowires

“…The SK growth mode is responsible for the 2D to 3D transition in heteroepitaxial growth and it has been successfully applied in low-threshold lasers, light emitting diodes, and solar cells. 6,17 However, the implementation of the SK growth mode on NWs faces significant challenges.…”

Investigation of the photoelectric characteristics of GaAs solar cells with different InGaAs quantum dot array positioning in the i-region.

“…However, the QDs embedment into the SC structure gives rise to the commonly known problem, namely, the drop of the device open-circuit voltage (V oc ) [7][8][9]. A number of studies [10,11] showed that the change in the QD array location in the SC structure can significantly affect spectral and photoelectric characteristics of the devices.…”

Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей

“…Однако включение КО всегда ведет к понижению напряжения холостого хода субэлемента. Это наблюдается для всех видов квантовых объектов: для квантовых точек [1][2][3], квантовых ям [4][5][6] и других объектов (проволочных [7] и гибридных [8][9][10]). Основной причиной падения напряжения является возникновение дополнительной рекомбинации в КО [3,[8][9][10].…”

“…Это наблюдается для всех видов квантовых объектов: для квантовых точек [1][2][3], квантовых ям [4][5][6] и других объектов (проволочных [7] и гибридных [8][9][10]). Основной причиной падения напряжения является возникновение дополнительной рекомбинации в КО [3,[8][9][10]. Эти процессы были исследованы нами в [9,10] В частности, в [8,9] была предложена модель, описывающая увеличение тока насыщения (J 0 ) при введении в p−n-переход различного количества рядов (r) КО.…”