Impact ionization of excited states of shallow impurities in n-InSb

Abstract

At a temperature of 0.37 K structures are observed in the current-voltage characteristics of n-InSb (NI = 3 x 1015 cm-3) at electric fields in the range 1 to 10 V/cm and a t magnetic fields above 7 T. This is related to the impact ionization of excited impurity levels. The disappearence of this structure a t lower magnetic fields and a t higher temperatures is explained by an increasing broadening of the impurity energy levels with increasing temperature.Bei einer Temperatur von 0,37 K werden in der StromSpannungs-Kennlinie von n-InSb ( N I = 3 x 10'5 ~m -~) Strukturen im elektrischen Feldbereich 1 bis 10 V/cm und in Magnetfeldern iiber 7 T beobachtet. Dies wird mit der StoBionisation von angeregten Fremdatomniveaus in Bezug gebracht. Das Verschwinden dieser Strukturen bei niedrigeren Magnetfeldern bzw. hoheren Temperaturen wird durch eine Zunahme der Verbreiterung der Fremdatomenergieniveaus erklart. ~_ _ Kopernikusgasse 15, A-1060 Wien, bterreich. 2, Present address: Institut fur Physik der Montanuniversitat Leoben, Osterreich.