Hysteresis in electronic transport through an ensemble of InAs self-assembled quantum dots

Control of Current Transport in Schottky Diode Using the Quantum Dots

“…1 < n . Важливим є те, що значення поверхневої концентрації за-ряджених донорів Завдяки існуванню сучасних нанотехноло-гій [3] змінювати висоту бар'єру та електричні характеристики діодів Шотткі, крім легуван-ням, можна введенням шару КТ у контактую-чий з металом напівпровідник [4]. Крім цього, як було показано в експериментальній роботі [5] введення квантових точок InAs у квантову яму GaAs поблизу границь гетероструктури AlAs/GaAs/AlAs приводить до збільшення на порядок дрейфової швидкості носіїв струму у вузьких квантових ямах GaAs.…”

“…Струмопереніс в основному визначається параметрами потенціального бар'єру Шотткі в напівпровіднику поблизу межі з металом. Зокрема для арсеніду галію, з середньою концентрацією електронів ) 10 ( Завдяки існуванню сучасних нанотехнологій [3] змінювати висоту бар'єру та електричні характеристики діодів Шотткі, крім легуванням, можна введенням шару КТ у контактуючий з металом напівпровідник [4]. Крім цього, як було показано в експериментальній роботі [5] введення квантових точок InAs у квантову яму GaAs…”

“…≤ ) має S -подібний характер, що підтверджується на експерименті [4,13]. Такий S -подібний характер ВАХ зумовлений процесами зарядки діркових та електронних станів КТ та впливом накопиченого заряду на розподіл потенціалу по структурі.…”