HVPE GaN for high power electronic Schottky diodes

Tompkins, Randy P.; Walsh, Timothy A.; Derenge, Michael A.; Kirchner, K. W.; Zhou, Shuai; Nguyen, Cuong; Jones, Kenneth A.; Mulholland, Gregory J.; Metzger, Robert A.; Leach, J. H.; Suvarna, Puneet; Tungare, Mihir

doi:10.1016/j.sse.2012.07.003

Cited by 15 publications

(6 citation statements)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…On the other hand, free carrier absorption and transient grating techniques are more advantageous for carrier lifetime measurements (as provide the depth‐integrated carrier density 8, 9) but still have limited spatial resolution. They have the potential for a simultaneous monitoring both of spatial and temporal features, what is very important for hydride vapour phase epitaxy (HVPE) grown GaN, as the material inhomogeneities, such as dislocations and point defects, are detrimental to the fabrication of reproducible high‐power Schottky diodes 10.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Time‐resolved free carrier lifetime microscopy in bulk GaN

Šcˇajev

Наргелас

Jarašiūnas

2013

Physica Rapid Research Ltrs

View full text Add to dashboard Cite

A novel setup for lifetime microscopy measurements was designed and applied for carrier lifetime mapping in a bulk GaN. Photoexcitation by a picosecond UV pump and detection of time‐resolved free carrier absorption (FCA) images on a CCD camera enabled the mapping of carrier lifetime distribution with a spatial resolution of 5 μm. The spatial variation of lifetime in the bulk HVPE‐grown GaN revealed the presence of different‐size crystalline grains, with lifetime peaking up to 70 ns in the centers of the largest grains (∼20 μm in diameter) and dropping to 10 ns in the small ones, while the spatially averaged lifetime was 40 ns. The inhomogeneity was ascribed to the interplay of nonradiative diffusion‐limited recombination at grain boundaries and a bulk lifetime in the crystallite centers. The numerical solution of spatially‐resolved carrier decay rate in the crystallite centers at high injection levels and comparison with experimental data provided a bulk nonradiative recombination time of ∼70 ns. (© 2013 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Time‐resolved free carrier lifetime microscopy in bulk GaN

Šcˇajev

Наргелас

Jarašiūnas

2013

Physica Rapid Research Ltrs

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Gallium nitride GaN được xem là chất bán dẫn thế hệ thứ ba đã và đang được quan tâm nhiều trong các ngành công nghiệp cũng như trong học thuật. Điều đó cho thấy, GaN là vật liệu có nhiều hứa hẹn cho các ứng dụng trong ngành điện tử và các thiết bị quang điện tử [15], [16]. Vật liệu đa tinh thể GaN đầu tiên được tổng hợp vào năm 1932 bởi Johnson và cộng sự, bằng cách cho NH3 chảy qua Ga lỏng ở nhiệt độ cao [17].…”

Section: Giới Thiệuunclassified

SỰ THAY ĐỔI CẤU TRÚC CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU GaN: LÀM RÕ TỪ NGHIÊN CỨU ĐỘNG LỰC HỌC PHÂN TỬ

Dung¹,

Dũng²,

Thanh³

et al. 2022

TNUJST

View full text Add to dashboard Cite

Trong bài báo này, mô phỏng động lực học phân tử đã được sử dụng để nghiên cứu quá trình nóng chảy của mô hình vật liệu hai chiều GaN với thế tương tác Stillinger – Weber ở áp suất 0 GPa. Điều kiện biên được áp dụng cho hai hướng x và y. Quá trình thay đổi cấu trúc của vật liệu được phân tích thông qua năng lượng tổng trên mỗi nguyên tử, nhiệt dung riêng, hàm phân bố xuyên tâm (PBXT), phân bố số phối trí, phân bố khoảng cách, phân bố vòng và mô hình trực quan. Chúng tôi quan sát thấy rằng sự chuyển pha của vật liệu là chuyển pha loại một. Kết quả mô phỏng của chúng tôi cho thấy nhiệt độ nóng chảy của mô hình vật liệu là 3760 K. Để thấy được mực độ đúng đắn của mô hình xây dựng được, các kết quả nghiên cứu đã được so sánh với các kết quả thực nghiệm và mô phỏng trước đó. Các kết quả chỉ ra rằng năng lượng tổng trên nguyên tử, nhiệt dung riêng, hàm PBXT, phân bố số phối trí, độ dài liên kết phù hợp tốt với số liệu thực nghiệm và mô phỏng.

show abstract

“…As the HVPE sample cooled after growth, the GaN separated from the substrate due to thermal stress and was polished, resulting in free-standing GaN doped with 3.0 × 10 18 cm −3 Mg. The detailed growth process and additional characterization was described previously [16][17][18][19].…”

Section: Experimental Parametersmentioning

confidence: 99%

Small non-uniform basal crystal fields in HVPE free-standing GaN:Mg as evidenced by angular dependent and frequency-dependent EPR

Sunay

Zvanut

Marbey

et al. 2019

J. Phys.: Condens. Matter

View full text Add to dashboard Cite

We studied thin-film and free-standing Mg-doped GaN using multi-frequency electron paramagnetic resonance (EPR) at 3–3.5 K and 9.4–130 GHz. Free-standing samples exhibit a highly anisotropic intensity, varying by a factor of 20 from 0° to 60°. In contrast, the intensity of the thin-film samples is significantly more isotropic, varying by no more than 10% over the same range of angles. The angular dependent intensity can be modeled in both free-standing and thin-film samples similarly to the g-factor anisotropy reported for thin films, supporting the theoretical predictions that the hole is on a basal site around the Mg acceptor. In addition, frequency-dependent transmission EPR measurements reveal a distribution of in free-standing samples, indicating that the local basal crystal field is non-uniform.

show abstract

HVPE GaN for high power electronic Schottky diodes

Cited by 15 publications

References 9 publications

Time‐resolved free carrier lifetime microscopy in bulk GaN

Time‐resolved free carrier lifetime microscopy in bulk GaN

SỰ THAY ĐỔI CẤU TRÚC CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU GaN: LÀM RÕ TỪ NGHIÊN CỨU ĐỘNG LỰC HỌC PHÂN TỬ

Small non-uniform basal crystal fields in HVPE free-standing GaN:Mg as evidenced by angular dependent and frequency-dependent EPR

Contact Info

Product

Resources

About