Abstract:Hot carrier injection (HCI) can generate interface traps or oxide traps mainly by dissociating the Si-H or Si-O bond, thus affecting device performances such as threshold voltage and saturation current. It is one of the most significant reliability issues for devices and circuits. Particularly, the increase in heat generation per unit volume due to high integration density of advanced integrated circuits leads to a severe self-heating effect (SHE) of nanoscale field effect transistors (FETs), and low thermal c… Show more
“…Технологічні обмеження: Транзистори, що зменшуються, створюють такі проблеми, як втрати сигналу, питома потужність та перегрів. HCI (інжекція носіїв заряду) і самонагрівання впливають на логічні схеми і мікроскопічні польові транзистори [17]- [18].…”
В роботі досліджено виклики, що виникають при розробці та застосуванні технологій віртуальної реальності (VR). Незважаючи на революційний потенціал VR у різних галузях, його повноцінній реалізації перешкоджають технічні, фінансові та етичні бар'єри. Існують технічні проблеми, пов'язані з розробкою високоякісного апаратного та програмного забезпечення, безперешкодною інтеграцією з існуючою інфраструктурою та потребою в значних обчислювальних ресурсах. Фінансові обмеження виникають через високу вартість виробництва та обслуговування, що обмежує доступність. З етичної точки зору, занурення у віртуальну реальність створює потенціал для звикання, антисоціальної поведінки та порушення конфіденційності даних. У статті також обговорюються компромісні рішення, складність, технологічні обмеження, спільна оптимізація апаратного та програмного забезпечення, перспективність, тестування та валідація, пов'язані з розробкою віртуальної реальності. Крім того, представлено огляд рішень цих задач, запропонованих у сучасній науковій літературі. Стаття підкреслює необхідність подальших досліджень, інновацій та вдосконалення для подолання цих перешкод і розкриття трансформаційного потенціалу технології віртуальної реальності.
“…Технологічні обмеження: Транзистори, що зменшуються, створюють такі проблеми, як втрати сигналу, питома потужність та перегрів. HCI (інжекція носіїв заряду) і самонагрівання впливають на логічні схеми і мікроскопічні польові транзистори [17]- [18].…”
В роботі досліджено виклики, що виникають при розробці та застосуванні технологій віртуальної реальності (VR). Незважаючи на революційний потенціал VR у різних галузях, його повноцінній реалізації перешкоджають технічні, фінансові та етичні бар'єри. Існують технічні проблеми, пов'язані з розробкою високоякісного апаратного та програмного забезпечення, безперешкодною інтеграцією з існуючою інфраструктурою та потребою в значних обчислювальних ресурсах. Фінансові обмеження виникають через високу вартість виробництва та обслуговування, що обмежує доступність. З етичної точки зору, занурення у віртуальну реальність створює потенціал для звикання, антисоціальної поведінки та порушення конфіденційності даних. У статті також обговорюються компромісні рішення, складність, технологічні обмеження, спільна оптимізація апаратного та програмного забезпечення, перспективність, тестування та валідація, пов'язані з розробкою віртуальної реальності. Крім того, представлено огляд рішень цих задач, запропонованих у сучасній науковій літературі. Стаття підкреслює необхідність подальших досліджень, інновацій та вдосконалення для подолання цих перешкод і розкриття трансформаційного потенціалу технології віртуальної реальності.
The rising temperature due to a self-heating or thermal environment not only degrades the subthreshold performance but also intensifies thermal stress, posing a severe challenge to device performance and reliability design. The thermal stress effects on the ON-state performance of the p-type fin field-effect transistor were previously studied. However, as far as we know, how thermal stress affects its subthreshold conduction remains unclear, which is studied in this manuscript. The impact of thermal stress due to the self-heating of adjacent devices on subthreshold conduction is investigated by solving the quantum transport, thermal conduction, and force balance equations for ballistic transport and dissipative transport with phonon scattering. Then, the thermal stress effects at different ambient temperatures are further discussed and analyzed. The simulation results show that the OFF-state leakage current can be reduced by thermal stress, even up to 9.28% for the (110)/[001] device operating at an ambient temperature of 550 K, and its reduction is the comprehensive result of the thermal stress effects on the band structure, potential profile, carrier distribution, and source-to-drain tunneling. In addition, the thermal stress has no significant effects on subthreshold swing although it can change the magnitude of the subthreshold current. Moreover, the effect of thermal stress on subthreshold conduction is highly dependent on the thermal environment of the device and the crystal orientation of the channel semiconductor material.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.