Higher Harmonics Generated by Mobile Carriers in Semiconductors

Abstract

AJtheory describing the nonlinear current density in the dc external magnetic fields H in semiconductors is proposed. The addition of an energy relaxation time to the Boltzmann equation provides an analytical expression for the magneto-conductivity in a high ac electric field. It is shown that the third harmonic in the current density is not critically dependent on the dependence of the momentum relaxation time on carrier energy, thus for r = 0 (where index r describes the type of the scattering mechanism) the conductivity has the warm formEine Theorie wird vorgeschlagen, die die nichtlineare Stromdichte in Halbleitern fur $&ere magnetische Gleichfelder H , beschreibt. Die Einfuhrung einer Energierelaxationszeit in die Boltzmanngleichung liefert einen analytischen Ausdruck fur die Magneto-Leitfiihigkeit in einem hohen elektrischen Wechselfeld. Es wird gezeigt, da13 die dritte Harmonische der Stromdichte nicht kritisch von der Abhangigkeit der Impulsrelaxationszeit der Trzgerenergie abhiingt, somit hat fur r = 0 (wobei der Index r den Typ des Streumechanismus beschreibt) die Leitfiihigkeit die ,,warme" Form u = ao(l + @(o) E2).