Представлена новая технология формирования планарных сверхпроводниковых структур на основе пленок YBCO с металлическими контактами, полностью исключающая процессы травления. Нужная топология сверхпроводящих элементов из пленки YBCO создается предложенным методом " задающей маски". Омические контакты к сверхпроводящей структуре изготавливаются методом взрывной фотолитографии. Для исследования возможностей данной технологии были проведены измерения сверхпроводящих мостиков шириной 3, 10 и 50 µm и тестовых структур для измерения контактного сопротивления.Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект 16-19-10478
ВведениеПри традиционном подходе к изготовлению планар-ных структур на основе пленок высокотемпературного сверхпроводника YB 2 Cu 3 O 7−x (YBCO) последователь-ность основных операций следующая. На подложку напыляется YBCO пленка, затем, для дальнейшего фор-мирования омических контактов [1-3], на нее in situ или в другой установке, сразу после напыления YBCO, осаждается металлическая пленка. После напыления этих слоев формируется требуемая топология струк-туры, для чего используется ионное или химическое травление [3][4][5]. Для получения изолирующих областей, разделяющих сверхпроводящие элементы, может приме-няться также ионная имплантация [4,6,7]. Формирование топологии является критически важным этапом при изготовлении планарных структур на основе YBCO пленок, существенно влияющим на конечные параметры прибора, что обусловлено высокой чувствительностью свойств YBCO пленок к внешним воздействиям.При химическом травлении YBCO возникает значи-тельный и плохо контролируемый уход размеров форми-руемой структуры относительно фоторезистивной маски ( " подтрав"), связанный с наличием медленно (по срав-нению с YBCO) растворимых в травителе вторичных фаз. Кроме того, во время травления край пленки YBCO повреждается на большую, порядка 1 µm, глубину [5]. Сложности, возникающие при ионном травлении YBCO, связаны, прежде всего, с низкой скоростью травления материала пленки, что требует повышения стойкости за-щитной маски. Кроме того, образец во время травления нагревается и его необходимо охлаждать, чтобы не про-изошла деградация YBCO пленки. Следует отметить, что поскольку коэффициент диффузии кислорода в пленке YBCO в направлении a-b во много раз больше, чем в на-правлении оси c, то структуры, полученные травлением, и, следовательно, с открытыми в направлении a−b слоя-ми YBCO, более подвержены деградации. При создании изолирующих областей методом ионной имплантации возникают сложности с удалением фоторезистивной маски, что связано с задубливанием фоторезиста при воздействии высокоэнергетичных ионов.При химическом травлении металлических слоев к повреждениям поверхности и края YBCO из-за контакта с травителем добавляется также значительный и плохо контролируемый подтрав под фоторезистивную маску, что связано с низкой адгезией металла к пленке. Удале-ние металла с поверхности YBCO ионным травлением может приводить к деградации свойств структуры из-за радиационного воздействия ионов на пленку. Травл...