2008
DOI: 10.1002/adma.200701751
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High‐Surface‐Area Mesoporous Germanium from Oxidative Polymerization of the Deltahedral [Ge9]4– Cluster: Electronic Structure Modulation with Donor and Acceptor Molecules

Abstract: A high‐surface‐area mesoporous germanium is prepared by a new straightforward method that involves oxidative polymerization and no linking agents or external oxidants. The electronic structure of this Ge semiconductor exhibits reversible change towards absorption of various donor and acceptor organic molecules.

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“…Kleiner dimensionierte Halbleiterstrukturen sind dabei besonders gefragt, da diese die elektronischen und optischen Eigenschaften diskreter Quantenpunkte zeigen können. Die Oxidation von Zintl‐Phasen wie KSi und Mg 2 Ge führt zu Si‐Nanopartikeln336 und mesostrukturiertem Germanium 337. Eine weitere und vielleicht sogar effizientere Möglichkeit könnte hier die Verwendung von löslichen Zintl‐Ionen anstelle von unlöslichen Zintl‐Phasen bieten.…”
Section: Von Zintl‐ionen Zu Neuen Materialien – Perspektiven Für Dunclassified
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“…Kleiner dimensionierte Halbleiterstrukturen sind dabei besonders gefragt, da diese die elektronischen und optischen Eigenschaften diskreter Quantenpunkte zeigen können. Die Oxidation von Zintl‐Phasen wie KSi und Mg 2 Ge führt zu Si‐Nanopartikeln336 und mesostrukturiertem Germanium 337. Eine weitere und vielleicht sogar effizientere Möglichkeit könnte hier die Verwendung von löslichen Zintl‐Ionen anstelle von unlöslichen Zintl‐Phasen bieten.…”
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“…Diese Oxidationen sollten prinzipiell unter Erhaltung des Ge 9 ‐Gerüsts ablaufen,8, 341 wovon auch bei der Bildung von mesoporösem Germanium ausgegangen wird 337. DFT‐Rechnungen haben gezeigt, dass Polymere, die durch mehrfache oxidative Kupplungsreaktionen gebildet werden, erstaunlich stabil sind.…”
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“…[1][2][3][4][5] Several approaches have been proposed for preparing nanoporous germanium such as electrochemical etching of Ge wafers, 6-8 chemical vapor deposition, 4,9,10 chemical reduction of porous GeO 2 , 11 liquid-crystaltemplated chemical method 3,4 and electrochemical deposition in room temperature ionic liquids. [1][2][3][4][5] Several approaches have been proposed for preparing nanoporous germanium such as electrochemical etching of Ge wafers, 6-8 chemical vapor deposition, 4,9,10 chemical reduction of porous GeO 2 , 11 liquid-crystaltemplated chemical method 3,4 and electrochemical deposition in room temperature ionic liquids.…”
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“…The use of soluble Zintl clusters for the preparation of unique materials was pioneered by Haushalter and O'Connor in the 1980s in their work on magnetic spin glasses, electronic materials, and metallic coatings (8)(9)(10)(11)(12)(13). Since that time, scientists have pursued new materials utilizing various Zintl ion precursors to both ionically and covalently link the cluster anions into oligomers (14)(15)(16)(17)(18), polymers (19,20), network solids (21)(22)(23), and nanomaterials (24)(25)(26). Simultaneously, gas-phase chemists have prepared bare (e.g., ligand-free) clusters in molecular beams, studied their size-dependent properties, and explored possible condensed-phased manifestations (27)(28)(29)(30).…”
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