High-reflection Mo/Be/Si multilayers for EUV lithography

Abstract

The effect of Be layers on the reflection coefficients of Mo/Be/Si multilayer mirrors in the extreme ultraviolet (EUV) region is reported. Samples were studied using laboratory and synchrotron based reflectometry, and high-resolution transmission electron microscopy. The samples under study have reflection coefficients above 71% at 13.5 nm and more than 72% at 12.9 nm in a near normal incidence mode. Calculations show that by optimizing the thickness of the Be layer it should be possible to increase the reflection coefficient by another 0.5-1%. These results are of considerable interest for EUV lithography.

Новый метод подавления периферического поглощения в лазерно-плазменном источнике коротковолнового излучения с Xe газоструйной мишенью

“…DOI: 10.21883/PJTF.2018.23.47018.17340 В течение нескольких последних лет продолжаются усилия по внедрению EUV-литографии (EUV -extreme ultraviolet) в промышленность. Обсуждается два варианта этой технологии: с излучением на длине волны λ = 13.5 nm от лазерно-плазменного источника с мишенью из твердого Sn либо на длине волны λ = 11.2 nm с " чистым" источником, в котором используется газовая Xe мишень [1,2]. В последнем случае излучателем является облачко плотной Xe плазмы с размером порядка 100 µm.…”

“…Тогда для шаровой плазмы с Ø pl = 150 µm следует ожидать P rad ≈ 40 MW, что совпадает с поглощаемой плазмой мощностью лазерного излучения в наших опытах (в соответствии с [16] поглощение P abs /P las ≈ 42%), т. е. вся поступившая в плазму энергия должна высвечиваться в виде радиационных потерь: P rad ≈ P abs -типичный результат для плазмы из многоэлектронных атомов. Тогда радиационное время жизни энергии τ E,rad ≈ 2.7 • 10 −11 s. Для электронной теплопроводности τ E,e-di f f = Q pl /[S pl κ e grad(k B T )] ≈ R 2 pl /(3D e ) ≈ 1.2 • 10 −9 s. Здесь κ e -электронная теплопроводность, D e = λ ei v th,e -диффузионный коэффициент для электронов, λ ei и v th,e -длина свободного пробега и тепловая скорость электронов, R pl = Ø pl /2 -радиус плазмы. Обусловленное гидродинамическими потерями время жизни энергии τ E,hy dro = R pl /(3v th,i ) = 2.6 • 10 −9 s, где v th,i ≈ 10 6 cm/s -тепловая скорость ионов Xe.…”

Микроструктура Переходных Границ В Многослойных Мо/Ве-Системах

“…Изучение этого эффекта было продолжено на примере зеркал Mo/Be/Si, оптимизированных на окрестность длины волны 13.5 nm. Экспериментально достигнуты значения пикового коэффициента отражения R = 71.9% на 13.5 nm и 72.8% на 12.9 nm [11]. Полуширина спектральной кривой отражения на 13.5 nm составила около 0.52 nm, что практически не уступает классическим Mo/Si-зеркалам, полуширина которых составляет около 0.54 nm.…”

Efficient high-order suppression system for a metrology beamline

“…In order to support our in-house developments on new concepts of XUV optical elements (Hafner et al, 2015;Loechel et al, 2013;Senf et al, 2016;Chkhalo et al, 2017;Braig et al, 2017;Siewert et al, 2018;Erko et al, 2010), a versatile UHV reflectometer has been permanently installed as an endstation at the optics beamline at the BESSY-II synchrotron radiation source. The optical concept and design features of this facility have been described elsewhere Schä fers et al, 2016).…”