High characteristic temperature of p-doped InAs quantum dots-in-a-well lasers on InP substrate

Recent Advances on InAs/InP Quantum Dash Based Semiconductor Lasers and Optical Amplifiers Operating at 1.55 $\mu$m

“…Using such an approach, continuous wave (CW) room-temperature lasing operation has been achieved on InP (001) substrate with quantum-dashes grown within InGaAlAs quantum well structures [7], and with QD structures including InGaAlAs barriers [8,9], or InGaAsP barriers [10,11]. More recent realizations demonstrate improved temperature stability with p-doping or tunnel injection laser structures [12,13,14,15,16]. Despite such progress on InAs/InP based QD structures, there are still several challenges to overcome before real system applications for these components.…”

“…The second challenge is to obtain high T0 leading to temperature insensitivity for uncooled operation. There are several ways to improve T0: optimization of epitaxial layers, p-doping [12][13][14], and tunnel injection [15,16]. In the paper, we report on novel temperature sensitivity results for both p-doping and optimized DWELL structures.…”

Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP

“…• C. Насколько нам известно, это наибольшее значение T 0 среди опубликованных для любых лазеров на основе InP (за исключением лазеров на КТ, в которых используется модулированное леги-рование p-типа [11,15]). Дальнейший рост температуры приводит к ухудшению величины T 0 .…”

“…Значение T 0 = 205 K, достигнутое в данной работе, сравнимо с характеристической температурой в InP КТ лазерах с модулированным p-легированием [11] (T 0 = 210 K) и p-легированием в сочетании с электрон-ной туннельной инжекцией [15] (T 0 = 227 K). Однако стоит отметить, что p-легирование приводит к допол-нительным оптическим потерям за счет поглощения на свободных носителях, а лазерные структуры с тун-нельной инжекцией в активную область не получили широкого распространения вследствие трудности их реализации.…”

“…К настоящему времени был разработан ряд подходов к управлению свойствами InAs/InP КТ. Для подавления удлинения КТ, выращиваемых методом МПЭ, был предложен синтез на нестандартных (311) [10] или вицинальных под-ложках [11], рост активной области при пониженных температурах около 480…”