1987
DOI: 10.1002/pssa.2211000245
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Heat capacity of TlGaSe2

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
5

Citation Types

1
16
0
1

Year Published

2005
2005
2017
2017

Publication Types

Select...
5
2

Relationship

0
7

Authors

Journals

citations
Cited by 23 publications
(18 citation statements)
references
References 1 publication
1
16
0
1
Order By: Relevance
“…Under this field the commensurate phase transition temperature exhibited unusual behavior and a transition to antiferroelectric phase has been postulated. The detailed investigations of various physical properties of TlGaSe 2 at low temperatures, such as optical absorption [8], heat capacity [9] and acoustic emission [10] experiments, revealed additional phase transition at temperatures about 101-103 K and 246-253 K. In a result of detailed dielectric constant measurements [11] we came recently to the conclusion that incommensurately modulated phase appears at temperatures between 115 K and 242 K.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 96%
“…Under this field the commensurate phase transition temperature exhibited unusual behavior and a transition to antiferroelectric phase has been postulated. The detailed investigations of various physical properties of TlGaSe 2 at low temperatures, such as optical absorption [8], heat capacity [9] and acoustic emission [10] experiments, revealed additional phase transition at temperatures about 101-103 K and 246-253 K. In a result of detailed dielectric constant measurements [11] we came recently to the conclusion that incommensurately modulated phase appears at temperatures between 115 K and 242 K.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 96%
“…С по-нижением температуры в TlGaSe 2 наблюдается последо-вательность фазовых переходов из высокотемпературной параэлектрической фазы в несоразмерную фазу (вблизи T ∼ 120 K) и далее (T ∼ 110 K) из несоразмерной в соразмерную сегнетоэлектрическую фазу. Однако ввиду высокого удельного сопротивления TlGaSe 2 и в пара-электрической фазе обнаруживает склонность к фор-мированию электрических неоднородностей в объеме кристалла [4][5][6], а также проявлению иных аномалий: резонанса полярных колебаний кристаллической решет-ки типа мягкой моды [7], изменения характера темпе-ратурной зависимости и структуры спектров ядерного магнитного резонанса [8,9], скачкообразного изменения фототока [10], особенностей на температурной зависи-мости теплоемкости [11,12] и коэффициентов теплового расширения кристалла [13]. Электрически активные де-фекты слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупро-водника TlGaSe 2 , способные к локализации носителей заряда и как следствие ответственные за формирование электрических неоднородностей в объеме кристалла, исследованы в [4][5][6].…”
Section: Introductionunclassified
“…TlGaSe 2 is a member of this family. The crystal is a promising material due to its very attractive thermodynamic [1], optic [2,3], acoustic [4], electric [5,6] and mechanic [7]. TlGaSe 2 was reported to have a monoclinic structure with the group of C2/c at room temperature [8].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%