“…С по-нижением температуры в TlGaSe 2 наблюдается последо-вательность фазовых переходов из высокотемпературной параэлектрической фазы в несоразмерную фазу (вблизи T ∼ 120 K) и далее (T ∼ 110 K) из несоразмерной в соразмерную сегнетоэлектрическую фазу. Однако ввиду высокого удельного сопротивления TlGaSe 2 и в пара-электрической фазе обнаруживает склонность к фор-мированию электрических неоднородностей в объеме кристалла [4][5][6], а также проявлению иных аномалий: резонанса полярных колебаний кристаллической решет-ки типа мягкой моды [7], изменения характера темпе-ратурной зависимости и структуры спектров ядерного магнитного резонанса [8,9], скачкообразного изменения фототока [10], особенностей на температурной зависи-мости теплоемкости [11,12] и коэффициентов теплового расширения кристалла [13]. Электрически активные де-фекты слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупро-водника TlGaSe 2 , способные к локализации носителей заряда и как следствие ответственные за формирование электрических неоднородностей в объеме кристалла, исследованы в [4][5][6].…”