Halleffekts‐ und Leitfähigkeitsmessungen an den Mischkristallen PbTe‐InTe (Halbleitereigenschaften von Telluriden, V)

Abstract

Das Zustandsdiagramm des Pseudozweistoffsystems PbTe-InTe wird angegeben. Es zeigt ein Eutektikum bei etwa 26 M01-y~ InTe und 640 "C. Leitfiihigkeit Herstellung der Proben Phosendiagramm der testen Losung PbTe mit InTeAbb. 1 zeigt das Phasendiagramm des Pseudozweistoffsystems PbTe-InTe, aufgenommen mittels Thermoanalyse nach dem DifferenzmeBverfahren. Die Probe befand sich in einem Quarzmantelkolben, als Vergleichssubstanz diente ein Nickelzylinder, der sich neben der Probe auf gleicher Hohe im Ofen befand. Die Temperatur wurde mitt Pt -PtRh-Thermoelementen gemessen. Die Ternperaturdifferenzkurve wurde wiihrend des Aufheizens und Abkuhlens registriert. Das Diagramm zeigt ein Eutektikum bei 640 "C und etwa 26 Mol.-% PbTe. Der Schmelzpunkt des InTe wurde zu 708 "C gemessen, wiihrend der Literaturwert 696 "C angibt. Der des PbTe wurde zu 918 "C gemessen, der Literaturwert liegt bei 917 "c. DEBYE-SCHERRER-Aufnahmen zeigten nur die beiden Gitter der Grundkomponenten PbTe und InTe und keine neuen Linien. Gitterkontraktionen sind beim PbTe zu erkennen. und zwar etwa lo/oo bei Dotierung mit 1 yo InTe und etwa 2 yo bei 10 yo InTe.

Deep and resonance states in A^IV B^VI semiconductors

“…% с сохранением структуры NaCl 8 ), холловская концентрация электронов He-превышает нескольких единиц на 9 . Исследования явлений пе-авторами рап одтвердили данные V й и су-щественно их детализировали.…”

Electrical Transport Properties of In and Cu‐Doped n‐Type Epitaxial Thin PbTe Films

“…It may be mentioned here that In in PbTe is known to form deep impurity states (14). However, it is also an observed fact that irrespective of the concentration of In, the Hall density of electrons in bulk does not exceed a few units of l0 is cm -z (15,16).…”