Исследованы высокоомные фоточувствительные кристаллы Bi 12 SiO 20 (BSO), легированные ионами железа. Рентгеноструктурный анализ обнаруживает сжатие элементарной ячейки в кристалле BSO : Fe с ростом концентрации примеси. Метод электронного парамагнитного резонанса демонстрирует уменьшение интен-сивности сигнала ЭПР при освещении кристалла BSO : Fe светом, генерирующим фотоносители.Установлена близость характерного времени уменьшения сигнала ЭПР к величине максвелловского време-ни релаксации, измеренного с помощью продольного электрооптического эффекта. Обсуждается физическая модель механизма оптической перезарядки магнитных центров железа, основанная на утверждении об изменении при фотогенерации носителей характера кристаллических связей иона железа с лигандами без структурной модификации кристаллической решетки. Предложена физическая модель, согласно которой трехвалентный ион Fe +3 переходит в двухвалентное состояние Fe +2 c изменением полного спина с 5/2 до 2. Сжатие элементарной ячейки с ростом концентрации ионов железа в рамках обсуждаемой модели обусловлено трансформацией атомных орбиталей при замещении ионов кремния ионами железа. Процесс трансформации затрагивает незанятые железом кристаллические ячейки, что доказано отсутствием раздвоения рентгеновских рефлексов и отражает дальнодействующий характер внутрикристаллических взаимодействий в силленитах.