Growth of GaInAsSb using tertiarybutylarsine as arsenic source

Sopanen, Markku; Koljonen, T.; Lipsanen, Harri; Tuomi, T.

doi:10.1016/0022-0248(94)91097-9

Cited by 33 publications

(16 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The details of the growth system are described elsewhere. 9 The source materials were trimethylgallium ͑TMGa͒, trimethylindium ͑TMIn͒, tertiarybutylarsine ͑TBAs͒, and tertiarybutylphosphine ͑TBP͒. The semiinsulating ͑100͒Ϯ0.5°GaAs were used as substrate and the growth temperature was 650°C.…”

Section: Strain-induced Quantum Dots By Self-organized Stressorsmentioning

confidence: 99%

Strain-induced quantum dots by self-organized stressors

Sopanen

Lipsanen

Ahopelto

1995

Applied Physics Letters

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Section: Strain-induced Quantum Dots By Self-organized Stressorsmentioning

confidence: 99%

Strain-induced quantum dots by self-organized stressors

Sopanen

Lipsanen

Ahopelto

1995

Applied Physics Letters

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The details of the growth system have been reported elsewhere. 9 Epiready semi-insulating ͑100͒ GaAs misoriented by Ϯ0.5°, 2°, and 10°to the ͓110͔ direction were used as substrates. The source materials were trimethylgallium ͑TMGa͒, trimethylindium ͑TMIn͒, tertiarybutylarsine ͑TBAs͒, and tertiarybutylphosphine ͑TBP͒.…”

Section: Self-organized Inp Islands On (100) Gaas By Metalorganic Vapmentioning

confidence: 99%

Self-organized InP islands on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy

Sopanen¹,

Lipsanen²,

Ahopelto

1995

Applied Physics Letters

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

The effect of growth temperature, deposition rate, and substrate misorientation angle on size, density, and uniformity of InP islands grown on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy is investigated. The density of InP islands is observed to remain constant as a function of growth temperature in the temperature range of 620–680 °C. Below 620 °C the island density increases with decreasing temperature. Above 605 °C a subset of islands having a uniform size is observed. The degree of uniformity depends largely on the deposition rate and the size of the uniform islands on the growth temperature.

show abstract

“…Гетероструктуры были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений в рос-сийской компании Микросенсор Технолоджи по мето-дике, аналогичной изложенной в работе [4]. Для со-здания гетероструктур на подложке InAs (легирован-ной S) n-типа проводимости (концентрация электро-нов n ≈ Исследовались спектры электролюминесценции (ЭЛ) структур при импульсном возбуждении с током накачки до 4 А, частотой следования импульсов 1 кГц и длитель-ностью импульса 1 мкс.…”

Section: методика экспериментовunclassified

Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300 K

Mynbaev¹,

Bazhenov²,

Semakova³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

Исследована электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP, выращенных на подложках InAs, в диапазоне температур T = 4.2−300 K. При низких температурах (T = 4.2−100 K) обнаружен эффект возникновения стимулированного излучения на длинах волн 3.03 и 3.55 мкм для структур InAs/InAsSbP и InAsSb/InAsSbP cooтветственно, с резонатором, сформированным перпендикулярно плоскости роста. Излучение становилось спонтанным при T > 70 K из-за резонансного " включения" оже-процесса CHHS, при котором энергия рекомбинирующей электронно-дырочной пары передается дырке с переходом последней в спин-орбитально отщепленную зону, и оставалось таковым c увеличением температуры из-за усиления влияния других оже-процессов. Полученные результаты показы-вают перспективность использования структур на основе InAs/InAs(Sb)/InAsSbP для создания вертикально-излучающих лазеров среднего инфракрасного диапазона. ВведениеИзвестно, что в средней инфракрасной (ИК) области спектра (диапазон длин волн 2−6 мкм) лежат харак-теристические полосы поглощения многих химических соединений (CH 4 , CO 2 , NO 2 , H 2 S, CO и др.). Датчики этих веществ востребованы как для контроля состоя-ния атмосферы, так и в промышленном производстве. Наиболее перспективными являются оптические ИК датчики на основе светодиодов. По сравнению с теп-ловыми источниками излучения светодиоды обладают более высоким быстродействием, меньшими размерами, меньшей потребляемой электрической мощностью, бо-лее длительным сроком службы, и при массовом про-изводстве меньшей себестоимостью. Светодиоды сред-него ИК диапазона обычно изготавливаются на основе узкозонных полупроводниковых соединений и твердых растворов A III B V [1]. Для повышения эффективности работы оптоэлектрон-ных приборов необходимо досконально понимать и контролировать процессы, происходящие в них при генерации или поглощении света. Для этого полезно исследовать работу приборных структур не только при рабочей температуре, которая обычно равна комнат-ной, но и при более низких температурах. В этом случае оказывается возможным наблюдать эффекты, позволяющие более точно установить механизмы про-исходящих в структурах процессов. Так, например, во флип-чип светодиодах на основе двойных гетеро-структур InAsGaP/InAs/InAsGaP, выращенных на под-ложках из InAs и излучавших при рабочей темпе-ратуре T = 300 K на длине волны λ = 3.4 мкм, при охлаждении до T = 77 K ранее наблюдался эффект воз-никновения стимулированного излучения c пиком при λ = 3.0 мкм [2]. Такой же эффект при T = 77 K недавно наблюдался нами для более узкозонных структур с активной областью из InAsSb, также выращенных на подложке из InAs. При этом в наших структурах актив-ная область была ограничена барьерным слоем InAsSbP только с одной стороны (т. е. структура имела вид InAs/InAsSb/InAsSbP) [3]. В аналогичных структурах с активной областью из InAs, где можно было бы ожидать более высокую квантовую эффективность, эффект сти-мулированного излучения при T = 77 K отсутствовал. Исследование данного явления представляется актуаль-ным как с точк...

show abstract

Growth of GaInAsSb using tertiarybutylarsine as arsenic source

Cited by 33 publications

References 8 publications

Strain-induced quantum dots by self-organized stressors

Strain-induced quantum dots by self-organized stressors

Self-organized InP islands on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy

Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2-300 K

Contact Info

Product

Resources

About