Growth and structural characterization of Cu₂ZnSnSe₄ compound for solar cells

Abstract

This work reports results concerning the effect of the deposition parameters on the structural properties of Cu 2 ZnSnSe 4 thin films, grown through a chemical reaction of the metallic precursors via coevaporation in a three-stage process. X-ray diffraction measurements revealed that the samples deposited by selenization of Cu and Sn grow in the Cu 2 Se and SnSe 2 phases, respectively. The effect of deposition temperature and Cu/Se mass ratio on the transport properties of Cu 2 ZnSnSe 4 films was analyzed. The electrical behavior of the compound was studied. PACS Nos.: 81.15.-z, 72.80.Ey, 61.05.cj.Résumé : Dans ce travail, les résultats sont présentés au sujet de l'effet des paramètres de dépôt sur les propriétés structurelles du films minces Cu 2 ZnSnSe 4 , cultivés par une réaction chimique des précurseurs métalliques par coévaporation, dans un processus de trois étapes. Les mesures de XRD ont dévoilé que les échantillons déposés par sélénisation de Cu et Sn poussent dans les phases de Cu 2 Se et SnSe 2 , respectivement. Les effets de la température et de la masse de radio Cu/Se des dépôts sur les propriétés de transport des films Cu 2 ZnSnSe 4 ont été analysés. Le comportement électrique du composé aussi étudié.