Untitled

Tomashik, Z. F.; Kusyak, N. V.; Tomashik, V. N.

doi:10.1023/a:1015402501421

Cited by 14 publications

(3 citation statements)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…In combination with hydrohalogenic (HF, HCl, HBr, HI) acids, it is possible to obtain etching compositions that are characterized by a low rate of interaction with II-VI crystals and good polishing properties. 4,5 It is known that such solutions are widely used for treatment of III-V compounds. Literature data concerning the use of aqueous solutions of the H 2 O 2 -HF (HCl, HBr, HI) system for etching of II-VI compounds are extremely limited.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Chemical Interaction of CdTe and CdZnTe with Aqueous Solutions of H2O2-HI-Tartaric Acid

Moravec

Ivanits’ka

Franc

et al. 2009

Journal of Elec Materi

View full text Add to dashboard Cite

An iodine-based etching system, H 2 O 2 -HI-tartaric acid, was tested on CdTe samples with (110), (100), (111)A, and (111)B orientations. The etching rate of CdTe was shown to depend on the sample orientation, ratio of etchant composition components, temperature, and rotation speed of the disc. A study of the chemical composition and structure of the (211)B Cd 1Àx Zn x Te surfaces etched under different conditions was carried out. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements showed that a nearly stoichiometric surface was achieved after heating of the etched surface in vacuum. Reflection highenergy electron diffraction (RHEED) measurements revealed a very good single-crystalline surface layer in samples etched with HI-based solutions as compared with bromine-methanol treatment.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Chemical Interaction of CdTe and CdZnTe with Aqueous Solutions of H2O2-HI-Tartaric Acid

Moravec

Ivanits’ka

Franc

et al. 2009

Journal of Elec Materi

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Незважаючи на широке практичне використання вказаних матеріалів та виготовлення на їх основі приладів, існують технологічні проблеми при виборі оптимальних складів поліруючих травильних композицій як для хіміко-механічного, так і для хіміко-динамічного полірування. Саме тому виникає необхідність проведення комплексних досліджень процесів, які проходять на границі розділу вказаних напівпровідників з різними активними середовищами з метою створення нових травильних композицій та режимів модифікації поверхні напівпровідникових матеріалів типу A II B VI [1][2]. Хімічне травлення напівпровідників є однією з найпоширеніших операцій при хімічній обробці у виробництві напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем.…”

Section: вступunclassified

Chemical Treatment of CdTe and Solid Solution ZnxCd1-xTe and Cd0,2Hg0,8Te and Aqueous Solutions of HNO3–НІ-Lactate Acid

Hvozdiyevskyy

Tomashik

Tomashyk

et al. 2016

PCSS

View full text Add to dashboard Cite

Хімічна обробкаЄ.Є. Гвоздієвський, Р.О. Денисюк, В.М. Томашик, Томашик З.Ф. 248 I. Експериментальна частинаДля досліджень використовували монокристалічні неорієнтовані зразки нелегованого CdTe n-типу провідності, вирощеного методом Бріджмена, а також тверді розчини Zn 0,04 Cd 0,96 Te, Zn 0,1 Cd 0,9 Te та Сd 0,2 Hg 0,8 Te. Площа монокристалічних пластин складала ≈ 0,5 см 2 , а їх товщина -1,5-2 мм. Після механічного полірування пластини приклеювали піцеїном неробочою стороною на кварцові підкладки. Перед дослідженням із зразків видаляли порушений при різці та шліфуванні шар товщиною 80 мкм в травнику того ж складу, в якому проводили подальше розчинення в установці для хіміко-динамічного полірування ( ХДП). Одночасно розчиняли 3-4 зразки. Протравлені пластини промивали спочатку в 0,1 М розчині Na 2 S 2 O 3 для повного розчинення йоду з поверхні, потім в дистильованій воді і висушували на повітрі.Швидкість розчинення визначали за зменшенням товщини кристалу до і після травлення годинниковим індикатором ІЧ-1 з точністю ± 0,5 мкм, причому розходження в вимірюваній товщині, як правило, не перевищувало 5 %. Лімітуючі стадії процесу розчинення матеріалів визначали із залежностей швидкості травлення від температури (Т = 283-303 К) та від швидкості обертання диску (22-122 хв -1 ). Для приготування травильних композицій використовували 57 %-ну йодидну, 70 %-ну нітратну та 80 %-ну лактатну кислоти (С 3 Н 6 О 3 ) (всі реактиви марки "х.ч."). Розчини готували безпосередньо перед процесом травлення і витримували 60-120 хв. для встановлення хімічної рівноваги взаємодії між The method of disk rotating kinetics of dissolution processes CdTe, ZnxCd1-xTe and Cd0,2Hg0,8Te in yodvydilyayuchyh etching compositions HNO3-NO-lactate acid. The dependence of etching rate of said material concentration oxidizer and organic solvent. Optimized polishing compositions herbalists and modes chemical dynamic polishing of semiconductor materials studied. The influence of Zn and Hg content in the composition of solid solutions on the quality of the resulting surface etching mixtures.

show abstract

“…Removing it is a complex technological task and, as a rule, is realized using the methods of chemical forming the surface, i.e., applying the operations of chemical-and-mechanical polishing (CMP) or chemicaland-dynamical polishing (CDP), which needs developing optimal technological regimes and compositions of polishing etchants [1,2,7,8].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing

Pashchenko¹

2015

Semicond. Phys. Quantum Electron. Optoelectron.

View full text Add to dashboard Cite

Abstract. Used in this work is the stationary model of the process of chemical-anddynamical polishing (CDP) the substrates in the case of balance between diffusion, convective and chemical fluxes. Obtained has been an analytical expression relating the surface shape in processed material with physical parameters of processes taking place under CDP. Calculations performed by the authors enabled to find technological regimes of processing that provides total removal of linear morphological defects from the surface of substrates after cutting. Comparison of experimental profilograms taken from the processed surfaces with theoretical dependences showed their satisfactory agreement.

show abstract

Untitled

Cited by 14 publications

References 4 publications

Chemical Interaction of CdTe and CdZnTe with Aqueous Solutions of H2O2-HI-Tartaric Acid

Chemical Interaction of CdTe and CdZnTe with Aqueous Solutions of H2O2-HI-Tartaric Acid

Chemical Treatment of CdTe and Solid Solution ZnxCd1-xTe and Cd0,2Hg0,8Te and Aqueous Solutions of HNO3–НІ-Lactate Acid

Modeling the process of removal aimed at cut traces on semiconductor wafers by using the method of contactless chemical-and-dynamical polishing

Contact Info

Product

Resources

About