Gate Driver with Overcurrent Protection Circuit for GaN Transistors

Abstract

The improvement of the gate driver for GaN transistor is presented in this paper. The proposed topology contains the overcurrent protection with the two-stage turning off and independent control of turn on and off time of the GaN transistor. The operation of driver and its application in the half-bridge converter are described using both simulation and prototype measurements. The overcurrent protection was tested in Double Pulse Test (DPT) conditions. Streszczenie.Ṕoniższy artykuł prezentuje zaawansowany sterownik bramkowy do tranzystorów mocy GaN. Proponowane rozwiązanie zawiera zabezpieczenie nadprądowe/przeciwprzeciążeniowe z dwustopniowym wyłączaniem oraz umożliwia niezależne ustawienie czasu włączenia i wyłączenia tranzystora. Działanie sterownika zostało zbadane symulacyjnie i doswiadczalnie w układzie przekształtnika półmostkowego. Proponowane zabezpieczenie tranzystora zostało przetestowane w warunkach podwójnego pulsu z obciążeniem indukcyjnym (DPT). (Sterownik bramkowy wraz z obwodem zabezpieczającym dedykowany do tranzystorów mocy GaN)