Gas-sensing properties of tin oxide doped with metal oxides and carbon nanotubes: A competitive sensor for ethanol and liquid petroleum gas

Hieu, Nguyen Van; Duc, Nguyen Dinh; Trung, Tran; Tuan, Mai Anh; Chien, Nguyen Duc

doi:10.1016/j.snb.2009.03.043

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“…For more detailed reactions, it is not treated in this work and we refer the reader to our previous work [12]. The ZnO x molecules aggregates are converted into ZnO clusters as revealed in reaction (3):…”

Section: Mechanism Of Co-deposition Of Zno Nanowires and Nanotetrapodsmentioning

confidence: 99%

New Insights on the Mechanism of Semiconductor Nanostructures Formed During Vapor Transport at Atmospheric Pressure

Trung¹

2018

JST

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Co-deposition of two types of high aspect ratio nanostructured ZnO involving nanowires and nanotetrapods with a uniform structure were carried out through thermal evaporation and vapor transportation of a mixture of highly pure ZnO and graphite powders in 1:1 weight ratio. The mixture was heated at 1100 o C under various flow rates of N 2 and air mixture. The surface morphology and structural characteristics of synthesized ZnO nanostructured materials revealed a highly crystalline structure with an average diameter of about 30 nm and length of several micrometers. The mechanism of co-deposition of ZnO nanowires and nanotetrapods during vapor transport at atmospheric pressure was proposed.

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Section: Mechanism Of Co-deposition Of Zno Nanowires and Nanotetrapodsmentioning

confidence: 99%

New Insights on the Mechanism of Semiconductor Nanostructures Formed During Vapor Transport at Atmospheric Pressure

Trung¹

2018

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“…El valor de la resistencia R está definido por la ecuación (9). Si el mecanismo de conducción predominante es el de túnel mecánico cuántico, la conducción a través de la frontera de grano tiene lugar por el lazo b del circuito equivalente.…”

Section: Circuito Eléctrico Equivalenteunclassified

“…Debido a que la separación entre los electrodos de Al es de 750 µm y la máxima diferencia de potencial aplicada es de 10 V , se tiene que v b ∼ 4 × 10 −4 V . Por lo tanto, en el rango de temperatura estudiado se satisface la condición q|v b | ≪ kT , que conduce a la ecuación (9). Se puede suponer entonces, que en estas películas el mecanismo de conducción predominante es el de emisión termoiónica de portadores a través de la frontera de grano.…”

Section: Aplicación Del Modelo a Películas Delgadas De Moounclassified

“…2013. 4b), el mecanísmo dominante es el de emisión termoiónica de portadores en el cual I ∝ T 2 , según se muestra en la ecuación (9). Los valores de la capacitancia C y de la resistencia asociada R c varían desde 1,29 pF y 1,8 × 10 12 Ω, para la muestra a 123 K hasta 3,28 µF y 5,7 × 10 7 Ω, para la muestra a 453 K. El aumento en los valores de la capacitancia con el incremento de la temperatura se corresponde con el aumento de la concentración de portadores N g en los estados electrónicos de la interfase.…”

Section: Aplicación Del Modelo a Películas Delgadas De Moounclassified

“…Los óxidos metálicos semiconductores (SMO, por sus siglas en inglés) se utilizan con frecuencia como material de detección en los sensores de gas. En este caso, la resistencia eléctrica de una película de SMO cambia debido a la interacción electrostática entre las moléculas de gas a ser detectado y la superficie del sensor [7], [8], [9]. Entre los SMO más estudiados como material de detección están el SnO 2 , el TiO 2 y el ZnO.…”

Section: Introductionunclassified

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Modelo analítico para el transporte electrónico en películas delgadas semiconductoras

et al. 2013

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Los semiconductores policristalinos son materiales que a menudo presentan propiedades eléctricas inusuales. En el modelo se supone que los cristales están formados por material semiconductor, el grano en sí, el cual está rodeado por material altamente desordenado y resistivo, la frontera de grano. La frontera de grano perturba la periodicidad estructural del cristal dando origen a estados electrónicos localizados en el interior de la brecha de energía prohibida. La existencia de estos estados favorece el atrapamiento de carga en las fronteras de grano y al doblamiento de las bandas de energía. Este doblamiento se caracteriza por un potencial de barrera y una zona de carga espacial, las cuales gobiernan el transporte electrónico a través de la frontera de grano. El modelo utiliza las teorías de difusión y deriva de portadores, de emisión termoiónica e incluye además, la teoría de tunelamiento cuántico de portadores a través de la barrera de potencial. Dado que la estructura de las películas delgadas de trióxido de Molibdeno (MoO3) obtenidas por atomización pirolítica es de tipo granular y de tamaño nanométrico, el modelo analítico explica el comportamiento de la característica Corriente - Voltaje (I-V) de las películas.

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Use of Metaloxide, Porous Silicon and Carbon Nanotube Gas Sensors for Safety and Security

Aroutiounian

2013

NATO Science for Peace and Security Series B: Physics and Biophysics

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Gas-sensing properties of tin oxide doped with metal oxides and carbon nanotubes: A competitive sensor for ethanol and liquid petroleum gas

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