Gain Processes in ZnTe Epilayers on GaAs

Abstract

Optical gain processes in ZnTe epitaxial layers grown by MOVPE on GaAs substrates are reported. Depending on the excitation conditions, optical gain related to exciton-exciton scattering or due to recombination in an electron-hole plasma is identificd by means of the variable-stripe-length method. The experimental gain spectra are compared to model calculations for the respective gain processes. Stimulated emission up to room temperature is observed under intense picosecond excitation.Optische Verstarkungsprozesse in ZnTe/GaAs-Epitaxieschichten, die mittels MOVPE gezuchtet wurden, werden untersucht. Die optische Verstarkung, die auf Exdton-Exziton-Streuung oder Rekombination im Elektronen-Loch-Plasma beruht, wird in Abhangigkeit von den Anregungsbedingungen mittels der Strichlangen-Methode beobachtet. Die experimentellen Verstarkungsspektren werden mit Modellrechnungen fur die entsprechenden Verstarkungsprozesse verglichen. Stimulierte Emission wird unter starker ps-Anregung sogar bis Zimmertemperatur beobachtet.

Spectral properties of Au–ZnTe plasmonic nanorods

“…ZnTe is an interesting II-VI semiconductor material used in optoelectronic devices, such as in photovoltaic elements [1,2], green light-emitting diodes [3], broad-frequency field sensors [4,5], waveguides [6,7], and gain media [8,9]; some of these devices take advantage of nanoscale effects [10]. ZnTe also has nonlinear optical properties [11].…”