2018
DOI: 10.1103/physrevb.98.045202
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Further investigations of the deep double donor magnesium in silicon

Abstract: The deep double donor levels of substitutional chalcogen impurities in silicon have unique optical properties which may enable a spin/photonic quantum technology. The interstitial magnesium impurity (Mgi) in silicon is also a deep double donor but has not yet been studied in the same detail as have the chalcogens. In this study we look at the neutral and singly ionized Mgi absorption spectra in natural silicon and isotopically enriched 28-silicon in more detail. The 1s(A1) to 1s(T2) transitions, which are very… Show more

Help me understand this report
View preprint versions

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
4
1

Citation Types

2
32
0
6

Year Published

2018
2018
2023
2023

Publication Types

Select...
7

Relationship

2
5

Authors

Journals

citations
Cited by 14 publications
(40 citation statements)
references
References 32 publications
2
32
0
6
Order By: Relevance
“…5 соответствует E a = 192 ± 5 мэВ. Коррекция для притягивающего центра дает положение уровня E3 на 215 мэВ ниже дна зоны проводимости, что практически совпадает со вторым донорным уровнем Mg i * [4]. Если эта идентификация правильная, то применение метода DLTS позволило впервые оценить концентрацию центров Mg i * , которых, как следует из амплитуды сигналов LDLTS, примерно в 10 раз меньше, чем E2.…”
Section: результаты и обсуждениеunclassified
See 3 more Smart Citations
“…5 соответствует E a = 192 ± 5 мэВ. Коррекция для притягивающего центра дает положение уровня E3 на 215 мэВ ниже дна зоны проводимости, что практически совпадает со вторым донорным уровнем Mg i * [4]. Если эта идентификация правильная, то применение метода DLTS позволило впервые оценить концентрацию центров Mg i * , которых, как следует из амплитуды сигналов LDLTS, примерно в 10 раз меньше, чем E2.…”
Section: результаты и обсуждениеunclassified
“…Известно, что примесь магния вводит в кремний глубокие двойные доноры [1], которые представляют интерес с точки зрения создания источников терагерцового излучения и развития технологии квантовых вычислений. Обычно магний вводится путем диффузии из металлической пленки на поверхности при температурах 1100−1400 • С. Исследования спектров оптического поглощения таких образцов выявили две серии линий, которые хорошо описываются теорией эффективной массы для нейтральных и однократно заряженных доноров с уровнями основных состояний E c − 107.5 мэВ и E c − 256.5 мэВ соответственно, где E c -энергия дна зоны проводимости [2][3][4]. Расщепление линий поглощения под действием одноосного сжатия, а также спектры ЭПР соответствуют центрам с тетраэдрической симметрией [2,5].…”
Section: Introductionunclassified
See 2 more Smart Citations
“…В частности, только недавно была экспериментально определена температурная зависимость коэффициента диффузии межузельного магния D Mg i в бездислокационных кристаллах кремния [11][12][13]. С использованием оптических методов исследования в последнее время получен также ряд новых данных о свойствах центров Mg в кремнии [14][15][16][17][18].…”
Section: Introductionunclassified