Метод параметризованного эффективного потенциала, предложенный ранее для основного состояния, развит для возбужденных состояний с симметрией основного. Обсуждены различные приближения для определения обменно-корреляционных потенциалов, Vxc. В частности, на основе требования симметрии Vxc представлен один из рецептов построения нового класса Vxc, который является функционалом внешнего потенциала (взаимодействия электрон-ядро) в отличие от традиционных подходов, где Vxc явно или неявно зависят от электронной плотности. Возможности метода исследованы на примере расчета электронных дипольных моментов перехода молекулы НеН с однодетерминантной волновой функцией. Показано, что предложенный метод расчета дипольных моментов перехода можно рассматривать как компромисс между точностью и вычислительными усилиями. Ключевые слова: параметризованный эффективный потенциал, дипольные моменты перехода, возбужденные состояния.