ÜbersichtMikrostrukturierungstechnologien der Mikrosystemtechnik (MST) oder der MEMS (Mikro-Elektro-Mechanische-Systeme)-Technologie mit ihren dreidimensionalen Bearbeitungsmöglichkeiten erlauben die Realisierung von Koplanarleitungen mit geringerer Dämpfung. Dies erreicht man durch Wegätzen des Substrats in den Zwischenräumen zwischen der Signal-und den Masseleitungen. Eine Serie von unterschiedlichen Entfernungs-/Ätzverfahren wurde untersucht und durchgeführt und die Ergebnisse mit Standard-Koplanarleitungen ve-glichen. Dieser Artikel beschreibt die Idee und die angewandten CMOS-kompatiblen Mikrostrukturierungs-Prozesse. Die gemessenen, niedrigsten Dämpfungswerte lagen bei 0,081 dB/mm bei 40 GHz für Koplanarleiturgen mit einem Masse-Masse-Abstand von 300 und einer Substratentfernung in den Zwischenräumen der Leitungen bis in eine Tiefe von 60 pm. Dies entspricht einer Verbesserung der Dämpfung um über 20 % gegenüber herkömmlichen Koplanarleitungen. Ebenfalls werden neuartige, monolithische Resonator-Konzepte auf bzw. in hochohmigen Siliziumsubstraten basierend auf dreidimensionaler Mikrostrukturierung untersucht. Zunächst wird ein dreidimensionaler, mit hochohmigem Silizium gefüllter Hohlraumresonator mit einer open-end-Paich-Struktur beschrieben. Die Herstellung erfolgt mit dreidimensionalen Mikrostrukturierungstechnologien. Der mit Silizium gefüllte open-end Patch-Resonator mit einer Dimension von 2,3 mm 1,1 mm 0,25 mm erzielt eine unbelastete Güte um 70 bei 22,0 GHz. Durch Entfernen des Siliziums aus dem Inneren des Resonators (luflgefüllter Resonator) erreicht man eine Erhöhung der Güte auf über 125 bei einer Resonanzfrequenz von 18,77 GHz für diese ersten monolithischen, mit einem Single-Wafer-Prozeß hergestellten Resonator-Prototypen.Abstract: MEMS technology with its three-dimensional (3D) treatment of substrates allows realization of CPWs with lower attenuation. This is achieved by removing the substrate material in the gap between signal and ground metalizations of the CPW transmission lines. A series of different removing/underetching schemes was investigated and processed and compared with common CPW lines. This paper explains the idea as well as the micromachining process steps used. Lowest measured attenuation was 0.081 dB/mm at 40 GHz for CPW lines with ground to ground spacing of 300 and substrate removal of 60 in depth. This corresponds to an improvement in attenuation of more than 20% compared to common CPW lines. Also new monolithic resonator concepts based on three dimensional (3D) high resistivity silicon substrate filled cavity resonators and air-filled resonators are investigated. Fabrication is done using micromachining technologies. The silicon substrate filled open-end patch resonator with a dimension of 2.3 mm 1.1 mm 0.25 mm yields an unloaded Q-Value of 70 at 22.0 GHz. By removing the silicon from the inner of the resonator (air-filled resonator type) an improvement of the unloaded Q with values greater than 125 is achieved.